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TXB0102

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2 ビット、双方向、電圧レベル シフタ、自動方向検出機能および ±15kV ESD 保護付き

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TXB0102

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製品詳細

Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 Topology Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, SPI, UART Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Technology family TXB Supply current (max) (mA) 0.008 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
Bits (#) 2 Data rate (max) (Mbps) 100 Topology Push-Pull Direction control (typ) Auto-direction Vin (min) (V) 1.2 Vin (max) (V) 3.6 Vout (min) (V) 1.2 Vout (max) (V) 5.5 Applications GPIO, SPI, UART Features Edge rate accelerator, Integrated pullup resistors, Output enable, Partial power down (Ioff), Vcc isolation Technology family TXB Supply current (max) (mA) 0.008 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 85
DSBGA (YZP) 8 2.8125 mm² 2.25 x 1.25 VSSOP (DCU) 8 6.2 mm² 2 x 3.1
  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 1.2V～3.6V (A ポート)、1.65V～5.5V (B ポート) (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 絶縁機能：どちらかの V CC 入力が GND レベルになると、すべての出力が高インピーダンス状態になる
  • V CCA を基準とする出力イネーブル (OE) 入力回路
  • 低消費電力、最大 I CC 4µA
  • I off により部分的パワーダウン・モード動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護
    • A ポート
      • 2500V、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)
    • B ポート
      • 15kV、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)
  • テキサス・インスツルメンツの NanoFree™ パッケージで供給
  • 1.2V～3.6V (A ポート)、1.65V～5.5V (B ポート) (V CCA ≤ V CCB)
  • V CC 絶縁機能：どちらかの V CC 入力が GND レベルになると、すべての出力が高インピーダンス状態になる
  • V CCA を基準とする出力イネーブル (OE) 入力回路
  • 低消費電力、最大 I CC 4µA
  • I off により部分的パワーダウン・モード動作をサポート
  • JESD 78、Class II 準拠で 100mA 超のラッチアップ性能
  • JESD 22 を超える ESD 保護
    • A ポート
      • 2500V、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)
    • B ポート
      • 15kV、人体モデル (A114-B)
      • 200V、マシン・モデル (A115-A)
      • 1500V、デバイス帯電モデル (C101)

TXB0102 は、設定可能な 2 本の独立した電源レールを採用した 2 ビット非反転トランスレータです。A ポートは V CCA に追従するように設計されています。V CCA には 1.2V～3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB に追従するように設計されています。V CCB には 1.65V～5.5V の電源電圧を供給できます。このため 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で、低電圧の双方向変換を自在に行うことが可能になります。V CCA が V CCB を上回ることはできません。

出力イネーブル (OE) 入力が Low のとき、全出力が高インピーダンス状態になります。

このデバイスは、I off を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。I off 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ 技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。

TXB0102 は、設定可能な 2 本の独立した電源レールを採用した 2 ビット非反転トランスレータです。A ポートは V CCA に追従するように設計されています。V CCA には 1.2V～3.6V の電源電圧を供給できます。B ポートは V CCB に追従するように設計されています。V CCB には 1.65V～5.5V の電源電圧を供給できます。このため 1.2V、1.5V、1.8V、2.5V、3.3V、5V の任意の電圧ノード間で、低電圧の双方向変換を自在に行うことが可能になります。V CCA が V CCB を上回ることはできません。

出力イネーブル (OE) 入力が Low のとき、全出力が高インピーダンス状態になります。

このデバイスは、I off を使用する部分的パワーダウン・アプリケーション用の動作が完全に規定されています。I off 回路は、デバイスの電源がオフになったとき、出力をディセーブルにします。これによってデバイスへの電流の逆流を阻止し、デバイスを損傷から保護します。

電源オンまたは電源オフ時に高インピーダンス状態を確保するため、OE をプルダウン抵抗経由で GND に接続する必要があります。この抵抗の最小値は、ドライバの電流ソース能力によって決まります。

ダイをパッケージとして使用する NanoFree™ 技術は、IC パッケージの概念を大きく覆すものです。
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設計と開発

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ユーザー ガイド: PDF | HTML
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・モデル

TXB0102 IBIS Model (Rev. A)

SCEM563A.ZIP (71 KB) - IBIS Model
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YZP) 8 Ultra Librarian
VSSOP (DCU) 8 Ultra Librarian
TI の評価基板に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブ拠点
  • アセンブリ拠点

サポートとトレーニング

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