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UCC21750-Q1

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車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Power switch IGBT, SiCFET Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 1500 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000, 8400 Peak output current (A) 10 Peak output current (source) (typ) (A) 10 Peak output current (sink) (typ) (A) 10 Features Active miller clamp, Desaturation (DESAT) protection, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (min) (V) 13 Output VCC/VDD (max) (V) 33 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧：33V (VDD - VEE)
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 高速 DESAT 保護、200ns の応答時間
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム
  • 5.7kV RMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認定済み
    • デバイス温度グレード 1：-40℃～+125℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 2121V pk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最大出力駆動電圧：33V (VDD - VEE)
  • ±10A の駆動強度と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 高速 DESAT 保護、200ns の応答時間
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス / 部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 安全関連認証：
    • DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した強化絶縁
    • UL 1577 部品認定プログラム

UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 UCC21750-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kV RMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく 、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21750-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21750-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 UCC21750-Q1 は最大 ±10A のピーク・ソース / シ ンク電流を供給できます。

入力側は SiO 2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kV RMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kV PK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく 、150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21750-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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* データシート UCC21750-Q1アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、10A ソース / シンク、強化絶縁型シングル・チャネル SiC/IGBT ゲート・ドライバ データシート (Rev. D 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.D) PDF | HTML 2023年 11月 16日
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ユーザー・ガイド UCC217xx Family Driving and Protecting SiC and IGBT Power Modules and Transistor (Rev. B) 2019年 9月 9日
アプリケーション概要 Why is high UVLO important for safe IGBT & SiC MOSFET power switch operation 2019年 1月 30日

設計および開発

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評価ボード

UCC21750QDWEVM-025 — SiC と IGBT トランジスタと電源モジュール向け駆動機能と保護機能の評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
ドライバまたはライブラリ

UCC21750-Q1-DESIGN — UCC21750-Q1 design resources

Functional Safety Support Information
サポート対象の製品とハードウェア

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製品
絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21750-Q1 — 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
リクエスト
シミュレーション・モデル

UCC21750 PSpice Transient Model

SLUM680.ZIP (90 KB) - PSpice Model
ダウンロード
シミュレーション・モデル

UCC21750 Unencrypted PSPICE Transient Model

SLUM718.ZIP (6 KB) - PSpice Model
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計算ツール

SLUC695 — UCC217xx XL Calculator Tool

Calculator enable customer design in terms of switching frequency and OC/DESAT, STO timing
サポート対象の製品とハードウェア

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製品
絶縁型ゲート ドライバ
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  • UCC21739-Q1 — 車載対応、絶縁型アナログ センシング機能搭載、IGBT/SiC 向け、3kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
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  • UCC21750-Q1 — 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • UCC21751-Q1 — 車載、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、+-10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
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  • UCC21711-Q1 — 車載、過電流保護機能搭載、IGBT/SiC 向け、5.7kVrms、+-10A、シングルチャネル絶縁型ゲート ドライバ
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回路図

UCC217xx, UCC217xx-Q1 Schematic and Layout Design Guidelines

SLUM917.ZIP (320 KB)
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回路図

UCC21750QDWEVM-054 Schematic Files

SLURB30.ZIP (323 KB)
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PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション ツール向け PSpice®

PSpice® for TI は、各種アナログ回路の機能評価に役立つ、設計とシミュレーション向けの環境です。設計とシミュレーションに適したこのフル機能スイートは、Cadence® のアナログ分析エンジンを使用しています。PSpice for TI は無償で使用でき、アナログや電源に関する TI の製品ラインアップを対象とする、業界でも有数の大規模なモデル ライブラリが付属しているほか、選択された一部のアナログ動作モデルも利用できます。

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リファレンス・デザイン

PMP23223 — バイアス電源搭載、スマート絶縁型ゲート ドライバのリファレンス デザイン

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試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (DW) 16 Ultra Librarian
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 使用原材料
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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