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UCC21755-Q1

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車載対応、アクティブ保護機能と絶縁型センシング機能搭載、±10A 絶縁型シングルチャネル・ゲート・ドライバ

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UCC21755-Q1

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Reinforced Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 5700 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 2121 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 8000 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Disable, Enable, Fault reporting, High CMTI, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Soft turn-off, Split output Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 TI functional safety category Functional Safety Quality-Managed Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 2121 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み：
    • デバイス温度グレード 0：-40℃～+150℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 応答時間 200ns の高速DESAT保護 (5V スレッショルド)
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
  • 最大 5V のオーバーシュートまたはアンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス/部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃
  • 5.7kVRMS のシングル・チャネル絶縁型ゲート・ドライバ
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み：
    • デバイス温度グレード 0：-40℃～+150℃の動作時周囲温度範囲
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C6
  • 機能安全品質管理
  • 最高 2121Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 最高出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • CMTI：150V/ns 以上
  • 応答時間 200ns の高速DESAT保護 (5V スレッショルド)
  • 4A の内部アクティブ・ミラー・クランプ
  • フォルト発生時の 400mA ソフト・ターンオフ
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ・センサで
    • NTC、PTC、サーマル・ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • 過電流時の FLT アラームと RST/EN からのリセット
  • RST/EN での高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの 40ns 未満のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY によるパワー・グッド通知付き)
  • 最大 5V のオーバーシュートまたはアンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns 以下、パルス/部品スキュー：30ns 以下
  • 沿面距離と空間距離が 8mm を超える SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～150℃

UCC21755-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 UCC21755-Q1 は、最大 ±10A のピーク・ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21755-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21755-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 2121V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。 UCC21755-Q1 は、最大 ±10A のピーク・ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 1.5kVRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 12.8kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、 150V/ns を超える同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21755-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、シャント電流センシング、フォルト通知、アクティブ・ミラー・クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT のスイッチング動作や堅牢性を最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料

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* データシート UCC21755-Q1 アクティブ保護および絶縁アナログ・センシング機能搭載、高 CMTI、車載用 10A ソース / シンク、SiC/IGBT 向け、強化絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバ データシート PDF | HTML 英語版 PDF | HTML 2021年 7月 15日
証明書 UCC217xx/-Q1 CQC Certificate of Product Certification 2023年 6月 7日

設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

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ユーザー ガイド: PDF
TI.com で取り扱いなし
シミュレーション・ツール

PSPICE-FOR-TI — TI Design / シミュレーション・ツール向け PSpice®

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設計とシミュレーション向けの環境である PSpice for TI (...)
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SOIC (DW) 16 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

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コンテンツは、TI 投稿者やコミュニティ投稿者によって「現状のまま」提供されるもので、TI による仕様の追加を意図するものではありません。使用条件をご確認ください。

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