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UCC21759-Q1

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車載対応、DESAT (脱飽和) 機能搭載、クランプ内蔵、IGBT/SiC 向け、3.0kVrms、±10A、シングルチャネル絶縁型ゲート・ドライバ

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製品詳細

Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
Number of channels 1 Isolation rating Basic Withstand isolation voltage (VISO) (Vrms) 3000 Working isolation voltage (VIOWM) (Vrms) 990 Transient isolation voltage (VIOTM) (VPK) 4242 Power switch IGBT, SiCFET Peak output current (A) 10 Features Active miller clamp, Fault reporting, Integrated analog to PWM sensor, Power good, Short circuit protection, Soft turn-off Output VCC/VDD (max) (V) 33 Output VCC/VDD (min) (V) 13 Input supply voltage (min) (V) 3 Input supply voltage (max) (V) 5.5 Propagation delay time (µs) 0.09 Input threshold CMOS Operating temperature range (°C) -40 to 150 Rating Automotive Bootstrap supply voltage (max) (V) 990 Rise time (ns) 33 Fall time (ns) 27 Undervoltage lockout (typ) (V) 12
SOIC (DW) 16 106.09 mm² 10.3 x 10.3
  • 3kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • デバイス温度グレード 1：動作時周囲温度範囲 -40℃～+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 900Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 200ns の応答時間による高速な DESAT 保護
  • 4A の内部アクティブ ミラー クランプ
  • 400mA のソフト ターンオフ (フォルト検出時)
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • アラームFLTで過電流を通知、RST/EN でリセット
  • 信号RST/EN に高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの <40ns のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が >8mm の SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～+150℃
  • 安全関連認証：
    • EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した基本絶縁耐圧：4242VPK
  • 3kVRMS のシングル チャネル絶縁型ゲート ドライバ
  • 車載アプリケーション向けに AEC-Q100 認証済み
    • デバイス温度グレード 1：動作時周囲温度範囲 -40℃～+125℃
    • デバイス HBM ESD 分類レベル 3A
    • デバイス CDM ESD 分類レベル C3
  • 最高 900Vpk の SiC MOSFET および IGBT
  • 出力駆動電圧 (VDD-VEE)：33V (最大値)
  • 大きなピーク駆動電流と高い CMTI
  • ±10A の駆動能力と分割出力
  • 最小 CMTI：150V/ns
  • 200ns の応答時間による高速な DESAT 保護
  • 4A の内部アクティブ ミラー クランプ
  • 400mA のソフト ターンオフ (フォルト検出時)
  • PWM 出力を備えた絶縁アナログ センサで
    • NTC、PTC、サーマル ダイオードによる温度センシング
    • 高電圧 DC リンクまたは相電圧
  • アラームFLTで過電流を通知、RST/EN でリセット
  • 信号RST/EN に高速イネーブル / ディセーブル応答
  • 入力ピンの <40ns のノイズ過渡およびパルスを除去
  • 12V VDD UVLO (RDY のパワー グッド付き)
  • 最大 5V のオーバー / アンダーシュート過渡電圧に耐える入力 / 出力
  • 伝搬遅延時間：130ns (最大値)、パルス / 部品スキュー：30ns (最大値)
  • 沿面距離と空間距離が >8mm の SOIC-16 DW パッケージ
  • 動作時の接合部温度：–40℃～+150℃
  • 安全関連認証：
    • EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17) に準拠した基本絶縁耐圧：4242VPK

UCC21759-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 990V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21759-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 636VRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、>150V/ns の同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21759-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT パワー トランジスタを最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。

UCC21759-Q1 は、先進の保護機能、クラス最高の動的性能、堅牢性を持ち合わせ、最高 990V (DC) で動作する SiC MOSFET および IGBT 用に設計されたガルバニック絶縁型シングル チャネル ゲート ドライバです。UCC21759-Q1 は、最大 ±10A のピーク ソース / シンク電流を供給できます。

入力側は SiO2 容量性絶縁技術によって出力側から絶縁され、最大 636VRMS の動作電圧に対応し、40 年を超える寿命の絶縁バリアにより 6kVPK のサージ耐性を備えるとともに、部品間スキューが小さく、>150V/ns の同相ノイズ耐性 (CMTI) を実現しています。

UCC21759-Q1 は、高速の過電流および短絡検出、フォルト通知、アクティブ ミラー クランプ、入力側および出力側電源 UVLO などの最新の保護機能を備えているため、SiC および IGBT パワー トランジスタを最適化できます。アナログから PWM へ信号を変換する、この絶縁型センサは、温度または電圧のセンシングを簡単に行えるため、ドライバの汎用性をさらに高め、システムの設計工数、サイズ、およびコストを簡素化できます。
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技術資料

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試験報告書: PDF
パッケージ ピン数 ダウンロード
SOIC (DW) 16 オプションの表示
TI の評価品に関する標準契約約款が適用されます。

購入と品質

記載されている情報：
  • RoHS
  • REACH
  • デバイスのマーキング
  • リード端子の仕上げ / ボールの原材料
  • MSL 定格 / ピーク リフロー
  • MTBF/FIT 推定値
  • 材質成分
  • 認定試験結果
  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報：
  • ファブの拠点
  • 組み立てを実施した拠点

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