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UCC27282-Q1

アクティブ

車載向け 120V/3A ハーフブリッジ ゲート ドライバ (5V UVLO、インターロックおよびイネーブル機能搭載)

この製品には新バージョンがあります

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比較対象デバイスと同等の機能で、ピン互換製品。
UCC27302A-Q1 アクティブ 車載、5V UVLO、インターロック、イネーブル オプション搭載、120V、4.5A、ハーフ ブリッジ ドライバ More recent pin-to-pin device with input interlock

製品詳細

Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002, 2000 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable, Integrated bootstrap diode, Interlock, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
Bootstrap supply voltage (max) (V) 120 Power switch MOSFET Input supply voltage (min) (V) 5.5 Input supply voltage (max) (V) 16 Operating temperature range (°C) -40 to 125 Undervoltage lockout (typ) (V) 5 Rating Automotive Propagation delay time (µs) 0.016 Rise time (ns) 12 Fall time (ns) 10 Iq (mA) 0.002, 2000 Input threshold TTL Channel input logic TTL Switch node voltage (V) -14 Features Enable, Integrated bootstrap diode, Interlock, Negative Voltage Handling on Input TI functional safety category Functional Safety-Capable Driver configuration Dual inputs
SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm) VSON (DRC) 10 9 mm² (3 mm × 3 mm) HSOIC (DDA) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1 (Tj = -40℃~150℃)
    • HBM ESD 分類レベル 1B
    • CDM ESD 分類レベル C3
  • ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 5V (標準値) の低電圧誤動作防止
  • 入力インターロック
  • イネーブル / ディスエーブル機能付き、DRC パッケージ
  • 16ns (標準値) の伝搬遅延
  • 立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (1.8nF 負荷時)
  • 1ns (標準値) の遅延マッチング
  • 入力の負電圧の絶対最大定格:-5V
  • HS の負電圧の絶対最大定格:-14V
  • ±3A のピーク出力電流
  • 絶対最大ブート電圧:120V
  • ディスエーブル時の低消費電流 (7µA)
  • ブートストラップ・ダイオードを内蔵
  • 機能安全対応
  • 下記内容で AEC-Q100 認定済み
    • 温度グレード 1 (Tj = -40℃~150℃)
    • HBM ESD 分類レベル 1B
    • CDM ESD 分類レベル C3
  • ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を駆動
  • 5V (標準値) の低電圧誤動作防止
  • 入力インターロック
  • イネーブル / ディスエーブル機能付き、DRC パッケージ
  • 16ns (標準値) の伝搬遅延
  • 立ち上がり時間 12ns、立ち下がり時間 10ns (1.8nF 負荷時)
  • 1ns (標準値) の遅延マッチング
  • 入力の負電圧の絶対最大定格:-5V
  • HS の負電圧の絶対最大定格:-14V
  • ±3A のピーク出力電流
  • 絶対最大ブート電圧:120V
  • ディスエーブル時の低消費電流 (7µA)
  • ブートストラップ・ダイオードを内蔵
  • 機能安全対応

UCC27282 -Q1 は、100V の最大スイッチ・ノード (HS) 電圧定格を持つ堅牢な N チャネル MOSFET ドライバです。ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成に基づくトポロジで 2 つの N チャネル MOSFET を制御できます。UCC27282 -Q1 はピーク・ソースおよびシンク電流が 3A であり、プルアップおよびプルダウン抵抗も小さいため、MOSFET のミラー・プラトー遷移中のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。各入力が電源電圧と無関係であるため、UCC27282 -Q1 はアナログ・コントローラともデジタル・コントローラとも組み合わせて使用できます。

入力ピンと HS ピンは大きな負の電圧に耐えられるため、システムの堅牢性が強化されます。入力インターロックにより、ノイズの大きなアプリケーションにおいて、さらに堅牢性とシステムの信頼性が向上します。イネーブルおよびディスエーブル機能により、ドライバの消費電力を低減することでシステムの柔軟性をさらに高めることができ、システム内のフォルト・イベントに応答できます。5V UVLO により、システムは低いバイアス電圧で動作できます。これは多くの高周波数アプリケーションに不可欠で、特定の動作モードでシステム効率を向上できます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。

ハイサイドとローサイド両方のドライバ段に低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能があり、VDD 電圧が指定のスレッショルドを下回ると、出力が強制的に LOW になります。内蔵のブートストラップ・ダイオードにより、多くのアプリケーションでは別の外付けダイオードが不要になるため、基板面積の削減とシステム・コストの低減に役立ちます。UCC27282 -Q1 は小型のパッケージで供給されるため、高密度の設計が可能です。

UCC27282 -Q1 は、100V の最大スイッチ・ノード (HS) 電圧定格を持つ堅牢な N チャネル MOSFET ドライバです。ハーフブリッジまたは同期整流降圧構成に基づくトポロジで 2 つの N チャネル MOSFET を制御できます。UCC27282 -Q1 はピーク・ソースおよびシンク電流が 3A であり、プルアップおよびプルダウン抵抗も小さいため、MOSFET のミラー・プラトー遷移中のスイッチング損失を最小限に抑えて大電力 MOSFET を駆動できます。各入力が電源電圧と無関係であるため、UCC27282 -Q1 はアナログ・コントローラともデジタル・コントローラとも組み合わせて使用できます。

入力ピンと HS ピンは大きな負の電圧に耐えられるため、システムの堅牢性が強化されます。入力インターロックにより、ノイズの大きなアプリケーションにおいて、さらに堅牢性とシステムの信頼性が向上します。イネーブルおよびディスエーブル機能により、ドライバの消費電力を低減することでシステムの柔軟性をさらに高めることができ、システム内のフォルト・イベントに応答できます。5V UVLO により、システムは低いバイアス電圧で動作できます。これは多くの高周波数アプリケーションに不可欠で、特定の動作モードでシステム効率を向上できます。伝搬遅延が短く、遅延マッチング仕様によりデッドタイムの要件が最小化されるため、さらに効率が向上します。

ハイサイドとローサイド両方のドライバ段に低電圧誤動作防止 (UVLO) 機能があり、VDD 電圧が指定のスレッショルドを下回ると、出力が強制的に LOW になります。内蔵のブートストラップ・ダイオードにより、多くのアプリケーションでは別の外付けダイオードが不要になるため、基板面積の削減とシステム・コストの低減に役立ちます。UCC27282 -Q1 は小型のパッケージで供給されるため、高密度の設計が可能です。

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技術資料

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設計と開発

その他のアイテムや必要なリソースを参照するには、以下のタイトルをクリックして詳細ページをご覧ください。

評価ボード

UCC27282EVM-335 — UCC27282 120-V、3-A、5-V、UVLO 付きハイサイド / ローサイド ゲート ドライバの評価基板

UCC27282EVM-335 は、ソース (供給) 電流とシンク (吸い込み) 電流のピーク能力が大きい 120V ハーフブリッジ ゲート ドライバである UCC27282DRC の評価に適した設計を採用しています。この EVM は、該当データシートを基準としてこのドライバ IC を評価する目的でも使用できます。また、ドライバ IC コンポーネントのセレクション ガイドという目的で、この EVM を使用することも可能です。この EVM は、PCB のレイアウトがゲート ドライバの性能に及ぼす影響を判断する目的での使用も可能です。
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
シミュレーション・モデル

UCC27282 PSpice Transient Model

SNVMBN3.ZIP (32 KB) - PSpice モデル
サポート対象の製品とハードウェア
計算ツール

SLURB12 — UCC272xx-UCC273xx Schematic Review Template

サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
SOIC (D) 8 Ultra Librarian
VSON (DRC) 10 Ultra Librarian
HSOIC (DDA) 8 Ultra Librarian

購入と品質

推奨製品には、この TI 製品に関連するパラメータ、評価基板、またはリファレンス デザインが存在する可能性があります。

サポートとトレーニング

TI E2E™ フォーラムでは、TI のエンジニアからの技術サポートを提供

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