CSD13383F4
- Low on-resistance
- Ultra low Qg and Qgd
- Ultra-small footprint (0402 case size)
- 1.0 mm × 0.6 mm
- Low profile
- 0.36 mm height
- Integrated ESD protection diode
- Rated >2 kV HBM
- Rated >2 kV CDM
- Lead and halogen free
- RoHS compliant
This 37 mΩ, 12 V N-channel FemtoFET™ MOSFET technology is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing at least a 60% reduction in footprint size.
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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀.
기술 자료
| 상위 문서 | 유형 | 직함 | 형식 옵션 | 최신 영어 버전 다운로드 | 날짜 |
|---|---|---|---|---|---|
| * | 데이터 시트 | CSD13383F4 12 V N-Channel FemtoFET™ MOSFET datasheet (Rev. C) | PDF | HTML | 2021. 9. 7 | |
| Application brief | Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs | PDF | HTML | 2025. 10. 31 | ||
| 애플리케이션 노트 | MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) | PDF | HTML | 2025. 10. 27 | ||
| 애플리케이션 노트 | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024. 3. 25 | ||
| 애플리케이션 노트 | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023. 12. 18 | ||
| 애플리케이션 노트 | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023. 12. 14 | ||
| 애플리케이션 노트 | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023. 3. 13 | ||
| Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022. 5. 31 | ||
| 설계 가이드 | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016. 7. 7 |
설계 및 개발
추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.
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주문 및 품질
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