CSD87501L
- Low on-resistance
- Small footprint of 3.37 mm × 1.47 mm
- Ultra-low profile – 0.2-mm high
- Lead free
- RoHS compliant
- Halogen free
- Gate ESD protection
This 30-V, 6.6-mΩ, 3.37-mm × 1.47-mm LGA Dual NexFET™ power MOSFET is designed to minimize resistance and gate charge in a small footprint. Its small size and common drain configuration make the device ideal for multi-cell battery pack applications and small handheld devices.
기술 자료
유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | CSD87501L 30-V Dual Common Drain N-Channel NexFET Power MOSFET datasheet (Rev. B) | PDF | HTML | 2019/05/02 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/06/14 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024/03/25 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |
Application note | Solving Assembly Issues with Chip Scale Power MOSFETs | PDF | HTML | 2023/12/14 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |
More literature | WCSP Handling Guide | 2019/11/07 | ||
Design guide | FemtoFET Surface Mount Guide (Rev. D) | 2016/07/07 |
설계 및 개발
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지원되는 제품 및 하드웨어
제품
MOSFET
TIDA-01243 — 비디오 및 충전 지원 USB Type-C™ 및 전원 공급 미니 도크 레퍼런스 디자인
TIDA-00882 — USB 사용 USB Type-C HDD 전원 공급 레퍼런스 디자인
PMP11536 — USB-C DFP + 5V2A 파워 뱅크(입력 급속 충전기 포함) 레퍼런스 디자인
패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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PICOSTAR (YJG) | 10 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.