LF442-MIL

Name: LF442-MIL
Brand: TI
SKU: LF442-MIL
Price: 0.584 USD

활성

군용 등급, 듀얼, 30V, 1MHz, 저전력 연산 증폭기

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document-pdfAcrobat LF442-MIL Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier datasheet (영어) PDF | HTML

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제품 상세 정보

Number of channels

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)

Rail-to-rail

In to V+

GBW (typ) (MHz)

Slew rate (typ) (V/µs)

Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)

Iq per channel (typ) (mA)

0.15

Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

Rating

Military

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Offset drift (typ) (µV/°C)

CMRR (typ) (dB)

Iout (typ) (A)

0.0068

Architecture

FET

Number of channels

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V)

Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V)

Rail-to-rail

In to V+

GBW (typ) (MHz)

Slew rate (typ) (V/µs)

Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV)

Iq per channel (typ) (mA)

0.15

Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz)

Rating

Military

Operating temperature range (°C)

-55 to 125

Offset drift (typ) (µV/°C)

CMRR (typ) (dB)

Iout (typ) (A)

0.0068

Architecture

FET

TO-CAN (LMC)

80.2816 mm² 8.96 x 8.96

WAFERSALE (YS)

—

See data sheet

1/10 Supply Current of a LM1458: 400 µA (Max)
Low Input Bias Current: 50 pA (Max)
Low Input Offset Voltage: 1 mV (Max)
Low Input Offset Voltage Drift: 7 µV/°C (Typ)
High Gain Bandwidth: 1 MHz
High Slew Rate: 1 V/µs
Low Noise Voltage for Low Power: 35 nV/√Hz
Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
High Input Impedance: 10¹²Ω
High Gain V_O = ±10V, R_L = 10k: 50k (Min)

1/10 Supply Current of a LM1458: 400 µA (Max)
Low Input Bias Current: 50 pA (Max)
Low Input Offset Voltage: 1 mV (Max)
Low Input Offset Voltage Drift: 7 µV/°C (Typ)
High Gain Bandwidth: 1 MHz
High Slew Rate: 1 V/µs
Low Noise Voltage for Low Power: 35 nV/√Hz
Low Input Noise Current: 0.01 pA/√Hz
High Input Impedance: 10¹²Ω
High Gain V_O = ±10V, R_L = 10k: 50k (Min)

The LF442-MIL dual low power operational amplifiers provide many of the same AC characteristics as the industry standard LM1458 while greatly improving the DC characteristics of the LM1458. The amplifiers have the same bandwidth, slew rate, and gain (10 kΩ load) as the LM1458 and only draw one tenth the supply current of the LM1458. In addition the well matched high voltage JFET input devices of the LF442-MIL reduce the input bias and offset currents by a factor of 10,000 over the LM1458. A combination of careful layout design and internal trimming ensures very low input offset voltage and voltage drift. The LF442-MIL also has a very low equivalent input noise voltage for a low power amplifier.

The LF442-MIL is pin compatible with the LM1458 allowing an immediate 10 times reduction in power drain in many applications. The LF442-MIL should be used where low power dissipation and good electrical characteristics are the major considerations.

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	유형	직함		날짜
*	Data sheet	LF442-MIL Dual Low Power JFET Input Operational Amplifier datasheet	PDF \| HTML	2017/07/19
	E-book	The Signal e-book: A compendium of blog posts on op amp design topics		2017/03/28
	Application note	Effect of Heavy Loads on Accuracy and Linearity of Op Amp Circuits (Rev. B)		2013/04/22
	Application note	AN-447 Protection Schemes for BI-FET Amplifiers and Switches		2004/05/02

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

시뮬레이션 모델

LF442 PSPICE Model

SNOM260.ZIP (1 KB) - PSpice Model

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설계 툴

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설계 툴

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