ONET8531T
- 10 GHz Bandwidth
- 4.5 kΩ Differential Small Signal Transimpedance
- 2.5 mAp-p Input Overload Current
- Received Signal Strength Indication (RSSI)
- 100 mW Typical Power Dissipation
- CML Data Outputs With On-Chip 50 Ω Back-Termination
- On Chip Supply Filter Capacitor
- Single 3.3 V Supply
- Die Size: 940 × 1195 µm
- Case temperature operation: –40°C to 100°C
- APPLICATIONS
- SONET OC-192
- SFP+ Optical Receivers
- 10× Fibre Channel Optical Receivers
- 10G Ethernet Receivers
- PIN Preamplifier-Receivers
- APD Preamplifier Receivers
The ONET8531T is a high-speed and high-gain limiting-transimpedance amplifier, used in optical receivers with data rates up to 12.5 Gbps. It features low input referred noise, 10 GHz bandwidth, 4.5 kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI).
The ONET8531T is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor and is optimized for packaging in a TO can.
The ONET8531T requires a single +3.3V ± 10% supply and its power efficient design typically dissipates less than 105 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back side) temperature.
기술 자료
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1개 모두 보기 | 유형 | 직함 | 날짜 | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | 11.3Gbps Limiting Transimpedance Amplifier with RSSI datasheet (Rev. B) | 2011/08/17 |
설계 및 개발
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사용 설명서: PDF
| 패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
|---|---|---|
| DIESALE (Y) | — |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치