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UCC14131-Q1-CALC — UCC14131-Q1 calculator tool
Calculator tool to generate BOM component values and help customer's applications.
데이터시트
UCC14130-Q1
- Fully integrated high-density isolated DC/DC module with isolation transformer
- Isolated DC/DC for driving: IGBTs, GaN, SiC, and Si MOSFETs
- Input voltage range: 10 V to 18 V with 32-V absolute maximum
- 1.5-W output power at T A ≤ 105°C
- 1.0-W output power for 10 V < V VIN < 18 V at T A = 105°C
- Adjustable single or dual output voltages (using resistors) with < ±1.3 % regulation accuracy over full operating range
- Low electromagnetic emission with spread spectrum modulation and integrated transformer design
- Enable, Power Good, UVLO, OVLO, soft-start, short-circuit, power-limit, under-voltage, over-voltage, and over-temperature protection
- CMTI > 150 kV/µs
- AEC-Q100 qualified for automotive applications
- Temperature grade 1: –40°C ≤ T J ≤ 150°C
- Temperature grade 1: –40 °C ≤ T A ≤ 125°C
- Functional Safety-Capable
- Planned safety-related certifications:
- 5657-VPK basic isolation per DIN EN IEC 60747-17 (VDE 0884-17)
- 3000-V RMS isolation for 1 minute per UL1577
- Basic insulation per CQC GB4943.1
- 36-pin, wide SSOP package
UCC14130-Q1 is an automotive qualified high isolation voltage DC/DC power module designed to provide power to GaN, IGBT, SiC, or Si gate drivers. The UCC14130-Q1 integrates a transformer and DC/DC controller with a proprietary architecture to achieve high efficiency with very low emissions. It can provide an isolated 12-V output from a 12-V regulated input for driving GaN and Si MOSFETs; and an isolated 15-V or 18-V output from a 15-V regulated input to bias the driver circuit for SiC MOSFET or IGBTs. The high-accuracy provides better channel enhancement for higher system efficiency without over-stressing the power device gate.
The UCC14130-Q1 provides up to 1.5W (typical) of isolated output power at high efficiency. Requiring a minimum of external components and including on-chip device protection, the module provides extra features such as input undervoltage lockout, overvoltage lockout, output voltage power-good comparators, overtemperature shutdown, soft-start time-out, adjustable isolated positive and negative output voltage, an enable pin, and an open-drain output power-good pin.
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평가 보드
UCC14131EVM-070 — UCC14131-Q1 1.5W 듀얼 출력 절연 DC/DC 컨버터 게이트 드라이버 바이어스용 평가 모듈
UCC14131-Q1은 DC/DC 컨버터 모듈로, 1.5W의 5kVRMS, 낮은 프로파일의 절연 전원, 3.5mm 넓은 본체 SOIC 통합 패키지를 제공합니다. UCC14131EVM-070 EVM은 11.5 VIN부터 14 VIN까지 작동할 수 있으며 12V 및 5V의 듀얼 양극 출력으로 구성되어 있습니다. 이 EVM은 고전압, 산업용 및 차량용 인버터, 배터리 관리 시스템, 충전소, 다양한 절연 장비 애플리케이션에 사용되는 GaN, Si, SiC 및 IGBT 게이트 드라이버 IC에 필요한 일반적인 바이어스 전원 전압을 보여줍니다.
레퍼런스 디자인
PMP31182 — 4가지 토폴로지를 사용하는 절연 바이어스 전원 공급 장치 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계는 PSR 플라이백, 푸시-풀, LLC 공진 및 절연 DCDC 모듈과 같은 다양한 토폴로지를 사용하는 4가지 절연 바이어스 전원 공급 장치 설계를 보여줍니다. 이러한 토폴로지는 구체적인 이점을 제공하지만 동시에 절충을 해야 합니다. 이러한 토폴로지를 충분히 비교할 수 있도록 4개의 하드웨어 설계를 사용하여 전기 매개 변수를 가능한 한 유사하게 유지하면서 수행됩니다. 이러한 설계의 입력 및 출력 전압은 15V이고 최대 부하 전류는 100mA입니다.
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
PMP23223 — 바이어스 공급 장치가 포함된 스마트 절연 게이트 드라이버 레퍼런스 설계
이 레퍼런스 설계에서는 UCC21732 게이트 드라이버와 UCC14xxx 시리즈 바이어스 공급 장치의 조합을 보여줍니다. 이 설계는 Wolfspeed SiC(실리콘 카바이드) FET( Wolfspeed Silicon Carbide (SiC) FET(전계 효과 트랜지스터) 모듈 등 다양한 전원 스위치 구동에 사용할 수 있습니다. 이 레퍼런스 설계는 고압측 또는 저압측 드라이버 역할을 할 수도 있고, 정전 용량 모조 부하와 함께 테스트할 수도 있습니다.
UCC14240-Q1, UCC14141-Q1 및 UCC14341-Q1은 각각 다른 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인
TIDA-010210 — GaN 레퍼런스 디자인 기반의 11kW, 양방향, 3상 ANPC
이 레퍼런스 디자인은 3레벨, 3상, 질화 갈륨(GaN) 기반 ANPC 인버터 전력계 구현을 위한 설계 템플릿을 제공합니다. 빠른 스위칭 전원 디바이스를 사용하면 100kHz~높은 주파수로 스위칭할 수 있어 필터의 자기 크기를 줄이고 전력 단계의 전력 밀도를 높일 수 있습니다. 멀티 레벨 토폴로지를 사용하면 최대 1000V의 높은 DC 버스 전압에서 600V 정격 전원 디바이스를 사용할 수 있습니다. 낮은 스위칭 전압 스트레스로 스위칭 손실을 98.5%의 피크 효율을 달성할 수 있습니다.
| 패키지 | 핀 | 다운로드 |
|---|---|---|
| SO-MOD (DWN) | 36 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
포함된 정보:
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치