PMP22951

アクティブ クランプ搭載、54V、3kW 位相シフト フルブリッジのリファレンス デザイン

概要

は、GaN ベースの 3kW 位相シフト フルブリッジ (PSFB) コンバータのリファレンス デザインです。このデザインは、複数の 2 次側同期整流 (SR) MOSFET への電圧ストレスを最小化する目的で 2 次側に 1 個のアクティブ クランプを採用しているため、より良好な性能指数 (FoM) を達成する、電圧定格のより低い MOSFET を複数使用することができます。PMP22951 は、1 次側で 30mΩ の GaN、同期整流器として 100V、1.8mΩ の GaN を採用しています。TMS320F280049C リアルタイム マイコンを使用して PSFB 制御を実現しています。PSFB コンバータは 140kHz のスイッチング周波数で動作し、385V 入力時に 97.45% のピーク効率を達成します。

特長
  • ピーク効率:97.45% (385V 入力時)
  • SR (同期整流) MOSFET の電圧ストレスを最小化するアクティブ クランプを採用しているので、FoM (性能指標) がより優れたデバイスを使用可能
  • すべてに GaN を採用したソリューション
出力電圧オプション PMP22951.1
Vin (Min) (V) 350
Vin (Max) (V) 400
Vout (Nom) (V) 54
Iout (Max) (A) 56
Output Power (W) 3024
Isolated/Non-Isolated Isolated
Input Type DC
Topology Full Bridge- Phase Shifted
??image.gallery.download_ja_JP?? 字幕付きのビデオを表示 ビデオ

組み立てられたボードは、テストと性能検証のみの目的で開発されたものであり、販売していません。

設計ファイルと製品

設計ファイル

すぐに使用できるシステム・ファイルをダウンロードすると、設計プロセスを迅速化できます。

PDF | HTML
TIDT331.PDF (1152 K)

効率グラフや試験の前提条件などを含める、このリファレンス・デザインに関する試験結果

TIDMBS8A.ZIP (489 K)

設計レイアウトとコンポーネントを示した詳細な回路図

TIDMBS9A.ZIP (113 K)

設計に使用したコンポーネント、参照指定子、メーカー名や型番などを記入した詳細なリスト

TIDMBT0.ZIP (957 K)

コンポーネントの配置を明示する詳細な設計レイアウト

TIDMBT2.ZIP (40428 K)

IC コンポーネントの 3D モデルまたは 2D 図面に使用するファイル

TIDCGG8.ZIP (4863 K)

PCB 設計の基板層に関する情報を記載した設計ファイル

TIDMBT1.ZIP (1229 K)

PCB 設計レイアウトを生成するための PCB 基板層のプロット・ファイル

製品

設計や代替製品候補に TI 製品を含めます。

C2000 リアルタイム・マイコン

TMS320F280045FPU と TMU (三角関数算術演算ユニット) と 256KB フラッシュと PGA と SDFM (デルタ シグマ フィルタ モジュール) 搭載、100MHz、C2000™ 32 ビット マイコン

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C2000 リアルタイム・マイコン

TMS320F280049FPU と TMU (三角関数算術演算ユニット) と 256KB フラッシュと CLA (制御補償器アクセラレータ) と PGA (プログラマブル ゲイン アンプ) と SDFM (デルタ シグマ フ

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C2000 リアルタイム・マイコン

TMS320F280049CFPU と TMU (三角関数算術演算ユニット) と 256KB フラッシュと CLA (制御補償器アクセラレータ) と InstaSPIN-FOC と CLB (構成可能論理ブロック) と PGA

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アナログ電流センス・アンプ

INA293-4V ~ 110V、1.3MHz、超高精度電流センス・アンプ

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サーミスタ

TMP610402、0603/0805 の各サイズでスルーホール パッケージ封止、1% 誤差の 10kΩ リニア サーミスタ

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デジタル・アイソレータ

ISO7721信頼性の高い EMC 特性、デュアル・チャネル、1/1、強化絶縁型デジタル・アイソレータ

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トランス・ドライバ

SN6505Bソフト スタート機能搭載、絶縁型電源向け、低ノイズ、1A、420kHz トランス ドライバ

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ハーフ・ブリッジ・ドライバ

LMG12105V UVLO とプログラマブル・デッドタイム機能搭載、GaNFET と MOSFET 向け、1.5A、3A、200V、ハーフブリッジ・ゲート・ドライバ

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リニア・レギュレータと低ドロップアウト (LDO) レギュレータ

TLV713イネーブル搭載、150mA、キャパシタ・フリー、低ドロップアウト電圧レギュレータ

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ローサイド・ドライバ

UCC276114V UVLO 搭載、レギュレーション済みの 5V 出力、4A/6A、シングルチャネル・ゲート・ドライバ

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理想ダイオード / OR コントローラ

LM748055℃ ~ 125℃、3V ~ 65V、双方向 NFET 理想ダイオード・コントローラ

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窒化ガリウム (GaN) 電力段

LMG3522R030ドライバ、保護機能、温度レポート機能内蔵、650V、30mΩ の GaN FET

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技術資料

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試験報告書 54-V, 3-kW, Phase-Shifted Full Bridge With Active Clamp Reference Design PDF | HTML 2023年 8月 24日

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