The LM5109B-Q1 is a cost effective, high voltage gate driver designed to drive both the high-side and the low-side N-Channel MOSFETs in a synchronous buck or a half bridge configuration. The floating high-side driver is capable of working with rail voltages up to 90 V. The outputs are independently controlled with TTL/CMOS compatible logic input thresholds. The robust level shift technology operates at high speed while consuming low power and providing clean level transitions from the control input logic to the high-side gate driver. Under-voltage lockout is provided on both the low-side and the high-side power rails. The device is available in the thermally enhanced WSON(8) packages.
| Typ | Titel | Datum | ||
|---|---|---|---|---|
| * | Data sheet | LM5109B-Q1 High Voltage 1-A Peak Half Bridge Gate Driver datasheet (Rev. A) | PDF | HTML | 08 Dez 2015 |
| Application brief | External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) | 28 Feb 2020 | ||
| Application brief | Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) | 28 Feb 2020 | ||
| More literature | Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) | 29 Okt 2018 |
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| Gehäuse | Pins | Herunterladen |
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| WSON (NGT) | 8 | Optionen anzeigen |
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