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SM74101

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3-A-/7-A-Einkanal-Gate-Treiber mit Masseeingang für Split-Supply-Betrieb

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Gleiche Funktionalität, gleiche Pinbelegung wie verglichener Baustein
UCC27512 AKTIV Einkanal-Gate-Treiber mit 4 A/8 A, 5-V-UVLO und geteilten im SON-Gehäuse Replacement

SM74101

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Produktdetails

Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
Number of channels 1 Power switch MOSFET Peak output current (A) 7 Input supply voltage (min) (V) 3.5 Input supply voltage (max) (V) 14 Features Negative Output Voltage Capability Operating temperature range (°C) -40 to 125 Rise time (ns) 14 Fall time (ns) 12 Propagation delay time (µs) 0.025 Input threshold TTL Channel input logic Inverting, Non-Inverting Input negative voltage (V) 0 Rating Catalog Undervoltage lockout (typ) (V) 3 Driver configuration Single
WSON (NGG) 6 9 mm² 3 x 3
  • Renewable Energy Grade
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7A sink/3A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall
    with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either
    Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split Supply
    or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package (3.0mm ×
    3.0mm)
  • Output Swings from VCC to VEE which can be
    Negative Relative to Input Ground
  • Renewable Energy Grade
  • Compound CMOS and Bipolar Outputs Reduce
    Output Current Variation
  • 7A sink/3A Source Current
  • Fast Propagation Times (25 ns Typical)
  • Fast Rise and Fall Times (14 ns/12 ns Rise/Fall
    with 2 nF Load)
  • Inverting and Non-Inverting Inputs Provide Either
    Configuration with a Single Device
  • Supply Rail Under-Voltage Lockout Protection
  • Dedicated Input Ground (IN_REF) for Split Supply
    or Single Supply Operation
  • Power Enhanced 6-Pin WSON Package (3.0mm ×
    3.0mm)
  • Output Swings from VCC to VEE which can be
    Negative Relative to Input Ground

The SM74101 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny WSON-6 package (SOT23 equivalent footprint), with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The SM74101 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.

The SM74101 MOSFET gate driver provides high peak gate drive current in the tiny WSON-6 package (SOT23 equivalent footprint), with improved power dissipation required for high frequency operation. The compound output driver stage includes MOS and bipolar transistors operating in parallel that together sink more than 7A peak from capacitive loads. Combining the unique characteristics of MOS and bipolar devices reduces drive current variation with voltage and temperature. Under-voltage lockout protection is provided to prevent damage to the MOSFET due to insufficient gate turn-on voltage. The SM74101 provides both inverting and non-inverting inputs to satisfy requirements for inverting and non-inverting gate drive with a single device type.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet SM74101 Tiny 7A MOSFET Gate Driver datasheet (Rev. B) PDF | HTML 25 Mär 2015
Application brief External Gate Resistor Selection Guide (Rev. A) 28 Feb 2020
Application brief Understanding Peak IOH and IOL Currents (Rev. A) 28 Feb 2020
More literature Fundamentals of MOSFET and IGBT Gate Driver Circuits (Replaces SLUP169) (Rev. A) 29 Okt 2018

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Simulationsmodell

SM74101 PSpice Transient Model

SLUM456.ZIP (71 KB) - PSpice Model
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Simulationsmodell

SM74101 Unencrypted PSpice Transient Model

SNOM574.ZIP (1 KB) - PSpice Model
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Simulationstool

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Test report: PDF
Schaltplan: PDF
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Test report: PDF
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