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질화 갈륨(GaN) 전력계

LMG2610

활성

통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지

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LMG2610

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제품 상세 정보

VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible
VDS (max) (V) 650 RDS(on) (mΩ) 170 ID (max) (A) 5.4 Features Bottom-side cooled, Built-in bootstrap diode, Cycle-by-cycle overcurrent protection, Half-bridge, Overtemperature protection, USB C/PD compatible
VQFN (RRG) 40 63 mm² 9 x 7
  • 650-V GaN power-FET half bridge
  • 170-mΩ low-side and 248-mΩ high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8 us
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • BST idle quiescent current: 60 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 9x7 mm QFN package with dual thermal pads
  • 650-V GaN power-FET half bridge
  • 170-mΩ low-side and 248-mΩ high-side GaN FETs
  • Integrated gate drivers with low propagation delays and adjustable turn-on slew-rate control
  • Current-sense emulation with high-bandwidth and high accuracy
  • Low-side / high-side gate-drive interlock
  • High-side gate-drive signal level shifter
  • Smart-switched bootstrap diode function
  • High-side start up : < 8 us
  • Low-side / high-side cycle-by-cycle over-current protection
  • Over-temperature protection with FLT pin reporting
  • AUX idle quiescent current: 240 µA
  • AUX standby quiescent current: 50 µA
  • BST idle quiescent current: 60 µA
  • Maximum supply and input logic pin voltage: 26 V
  • 9x7 mm QFN package with dual thermal pads

The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.

The asymmetric GaN FET resistances are optimized for ACF operating conditions. Programmable turn on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2610 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over temperature shut down.

The LMG2610 is a 650-V GaN power-FET half bridge intended for < 75-W active-clamp flyback (ACF) converters in switch mode power supply applications. The LMG2610 simplifies design, reduces component count, and reduces board space by integrating half bridge power FETs, gate drivers, bootstrap diode, and high-side gate-drive level shifter in a 9-mm by 7-mm QFN package.

The asymmetric GaN FET resistances are optimized for ACF operating conditions. Programmable turn on slew rates provide EMI and ringing control. The low-side current-sense emulation reduces power dissipation compared to the traditional current-sense resistor and allows the low-side thermal pad to be connected to the cooling PCB power ground.

The high-side gate-drive signal level shifter eliminates noise and burst-mode power dissipation problems found with external solutions. The smart-switched GaN bootstrap FET has no diode forward-voltage drop, avoids overcharging the high-side supply, and has zero reverse-recovery charge.

The LMG2610 supports converter light-load efficiency requirements and burst-mode operation with low quiescent currents and fast start-up times. Protection features include FET turn-on interlock, under-voltage lockout (UVLO), cycle-by-cycle current limit, and over temperature shut down.
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유형 직함 날짜
* Data sheet LMG2610 Integrated 650-V GaN Half Bridge for Active-Clamp Flyback Converters datasheet (Rev. A) PDF | HTML 2022/12/12
Application note Enabling Small-Form-Factor AC/DC Adapters With use of Integrated GaN Technology PDF | HTML 2023/03/27
EVM User's guide Using the UCC28782EVM-030 (Rev. C) PDF | HTML 2022/07/28

설계 및 개발

추가 조건 또는 필수 리소스는 사용 가능한 경우 아래 제목을 클릭하여 세부 정보 페이지를 확인하세요.

평가 보드

UCC28782EVM-030 — UCC28782 능동 클램프 플라이백 컨버터 65W USB-C PD EVM(ISO7710FD 포함)

UCC28782EVM-030은 UCC28782 능동 클램프 플라이백 컨트롤러를 사용하여 65W USB Type-C™ 전력 공급(PD) 오프라인 어댑터를 위한 고효율 및 고밀도를 보여줍니다. 입력은 범용 90Vac~264Vac를 지원하며 단일 출력을 최대 3A에서 5V, 9V 및 15V, 최대 3.25A에서 20V로 설정할 수 있습니다. 이 값은 USB PD 인터페이스 컨트롤러를 사용하여 조정할 수 있습니다. 250kHz 공칭 고주파 작동은 솔루션 크기를 줄이는 동시에 다중 모드 작동으로 고효율을 유지합니다. (...)

사용 설명서: PDF | HTML
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시뮬레이션 모델

LMG2610 SIMPLIS Model

SNOM766.ZIP (304 KB) - SIMPLIS Model
다운로드
계산 툴

LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator

Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
lock = 수출 승인 필요(1분)
지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG2100R044 — 100V 4.4mΩ 하프 브리지 GaN FET와 통합 드라이버 및 보호 LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지 LMG3410R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 보호 LMG3410R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 과전류 보호 LMG3411R050 — 600V 50mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R070 — 600V 70mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클 단위 과전류 보호 LMG3411R150 — 600V 150mΩ GaN과 통합 드라이버 및 사이클별 과전류 보호 LMG3422R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3422R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3425R030 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 30mΩ GaN FET LMG3425R050 — 통합 드라이버, 보호, 온도 보고, 이상적인 다이오드 모드 기능이 있는 600V 50mΩ GaN FET LMG3426R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 30mΩ GaN FET LMG3426R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지를 지원하는 600V 50mΩ GaN FET LMG3522R030 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R030-Q1 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 오토모티브 650V 30mΩ GaN FET LMG3522R050 — 통합 드라이버, 보호 및 온도 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG3526R030 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 기능이 있는 650V 30mΩ GaN FET LMG3526R050 — 일체형 드라이버, 보호 및 제로 전압 감지 보고 기능이 있는 650V 50mΩ GaN FET LMG5200 — 80V GaN 하프 브리지 전력계
lock 다운로드
계산 툴

SNOR036 — LMG2610 Active-Clamp Flyback Power Stage Design Calculator

지원되는 제품 및 하드웨어

지원되는 제품 및 하드웨어

제품
질화 갈륨(GaN) 전력계
LMG2610 — 통합 드라이버, 보호 및 전류 감지 기능이 있는 ACF용 650V 170/248mΩ GaN 하프 브리지
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레퍼런스 디자인

TIDA-050074 — 140W GaN 기반 USB PD3.0 USB-C 어댑터 레퍼런스 설계

이 레퍼런스 설계는 높은 효율성 및 전력 밀도를 지원하는 질화 갈륨(GaN) 기반 140W AC-DC 전력입니다. 넓은 입력(90VAC~264VAC) 및 출력(5V~28V) 전압을 지원합니다. USB PD3.1용 어댑터 설계 및 전동 공구용 충전기와 같은 애플리케이션을 위해 설계되었습니다.
Design guide: PDF
레퍼런스 디자인

PMP23146 — 서버 보조 전력을 위한 GaN 레퍼런스 설계를 지원하는 45W 고전력 밀도 능동 클램프 플라이백

이 레퍼런스 설계는 최대 전력 밀도를 목표로 하는 GaN 기반 45W 액티브 클램프 플라이백(ACF)입니다. 이 공급 장치는 서버 및 전기 통신 전원 공급 장치(PSU)에 보조 전원을 제공하도록 설계되었습니다. UCC28782 ACF 컨트롤러 및 LMG2610 GaN 하프 브리지는 UCC24612를 사용하여 동기 정류로 평면형 변압기를 구동하는 데 사용됩니다. 이 보조 공급 장치는 PFC 버스 전압을 입력으로 사용하여 작동하도록 설계되었으며, 3.7A를 공급할 수 있는 절연된 12V 출력 및 최대 400mA를 공급할 수 있는 (...)
Test report: PDF
레퍼런스 디자인

PMP22244 — GaN을 지원하는 60W USB Type-C® 고밀도 능동 클램프 플라이백 레퍼런스 디자인

이 레퍼런스 디자인은 UCC28782 능동 클램프 플라이백 컨트롤러, LMG2610 통합 GaN 하프 브리지 및 UCC24612 동기 정류기 드라이버를 사용하는 USB Type-C 애플리케이션을 위한 고밀도, 60W 115VAC 입력 전원 공급 장치입니다. 최대 전력 정격은 20V 또는 15V 출력에서 60W, 9V 출력에서 54W, 5V 출력에서 30W입니다. 이 설계는 94.8%의 피크 효율을 달성합니다. 설계의 규격은 1.5인치 x 3.35인치 x 1인치(37.5mm x 85mm x 25mm)입니다.
Test report: PDF
패키지 핀 다운로드
VQFN (RRG) 40 옵션 보기
TI의 평가 항목에 대한 표준 약관이 적용됩니다.

주문 및 품질

포함된 정보:
  • RoHS
  • REACH
  • 디바이스 마킹
  • 납 마감/볼 재질
  • MSL 등급/피크 리플로우
  • MTBF/FIT 예측
  • 물질 성분
  • 인증 요약
  • 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
  • 팹 위치
  • 조립 위치

지원 및 교육

TI 엔지니어의 기술 지원을 받을 수 있는 TI E2E™ 포럼

포럼 주제 모두 보기(영문)

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