계산 툴
LMGXX-GAN-LLC-CALC — GaN LLC resonant converter device loss calculator
Device Loss Calculator can be used to evaluate different devices for different topologies of the LLC Resonant Converter
데이터시트
LMG3410R070
- TI GaN Process Qualified Through Accelerated Reliability In-application Hard-switching Mission Profiles
- Enables High Density Power Conversion Designs
- Superior System Performance Over Cascode or Stand-alone GaN FETs
- Low Inductance 8mm x 8mm QFN Package for Ease of Design, and Layout
- Adjustable Drive Strength for Switching Performance and EMI Control
- Digital Fault Status Output Signal
- Only +12 V Unregulated Supply Needed
- Integrated Gate Driver
- Zero Common Source Inductance
- 20 ns Propagation Delay for MHz Operation
- Process-tuned Gate Bias Voltage for Reliability
- 25 to 100V/ns User Adjustable Slew Rate
- Robust Protection
- Requires No External Protection Components
- Over-current Protection with <100ns Response
- >150V/ns Slew Rate Immunity
- Transient Overvoltage Immunity
- Overtemperature Protection
- UVLO Protection on All Supply Rails
- Device Options:
- LMG3410R070: Latched Overcurrent Protection
- LMG3411R070: Cycle-by-cycle Overcurrent Protection
The LMG341xR070 GaN power stage with integrated driver and protection enables designers to achieve new levels of power density and efficiency in power electronics systems. The LMG341x’s inherent advantages over silicon MOSFETs include ultra-low input and output capacitance, zero reverse recovery to reduce switching losses by as much as 80%, and low switch node ringing to reduce EMI. These advantages enable dense and efficient topologies like the totem-pole PFC.
The LMG341xR070 provides a smart alternative to traditional cascode GaN and standalone GaN FETs by integrating a unique set of features to simplify design, maximize reliability and optimize the performance of any power supply. Integrated gate drive enables 100V/ns switching with near zero Vds ringing, <100 ns current limiting self-protects against unintended shoot-through events, Overtemperature shutdown prevents thermal runaway, and system interface signals provide self-monitoring capability.
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평가 보드
LMG34XX-BB-EVM — LMG341x 제품군을 위한 LMG34xx GaN 시스템 레벨 평가 마더보드
LMG34XX-BB-EVM은 동기식 벅 컨버터로 LMG3410-HB-EVM과 같은 LMG341X 하프 브리지 보드를 구성하기 위해 사용하기 쉬운 브레이크아웃 보드입니다. 이 EVM은 전력계, 바이어스 전력 및 로직 회로를 제공하여 GaN 디바이스 스위칭의 신속한 측정을 지원합니다. 이 EVM은 적절한 열 관리(강제 공기, 저주파 작동 등)로 최대 8A의 출력 전류를 제공하여 최대 작동 온도를 초과하지 않도록 할 수 있습니다. 이 EVM은 개방형 루프 보드이기 때문에 과도 측정에는 적합하지 않습니다.
단일 펄스 폭 변조 입력만 (...)
사용 설명서: PDF
도터 카드
LMG3410-HB-EVM — LMG3410R070 600V 70-mΩ GaN 하프 브리지 부속 카드
The LMG34XX-BB-EVM is an easy to use breakout board to configure any LMG34XX half bridge board, such as the LMG3410-HB-EVM, as a synchronous buck converter. By providing a power stage, bias power and logic circuitry this EVM allows for quick measurements of the GaN device switching. (...)
사용 설명서: PDF
계산 툴
SNOR029 — GaN CCM Boost PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
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SNOR030 — GaN CCM Totem Pole PFC Power Loss Calculation Excel Sheet
지원되는 제품 및 하드웨어
제품
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레퍼런스 디자인
PMP20873 — 99% 효율 1kW GaN 기반 CCM 토템 폴 PFC(역률 보정) 컨버터 레퍼런스 디자인
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TIDA-010062 — 1-kW, 80+ titanium, GaN CCM totem pole bridgeless PFC and half-bridge LLC with LFU reference design
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PMP41043 — C2000과 GaN가 구현하는 CCM 토템 폴 PFC 및 전류 모드 LLC가 있는 1.6kW 레퍼런스 설계
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레퍼런스 디자인
PMP21309 — HV GaN FET를 지원하는 24V/500W 공진 컨버터 레퍼런스 설계
This reference design is a high-frequency resonant converter reference design. The output voltage is regulated to 24 V with input voltage ranges from 380 V to 400 V using a resonant tank with 500 kHz resonant frequency. A 97.9% peak efficiency is achieved with this design using TI’s (...)
| 패키지 | 핀 | 다운로드 |
|---|---|---|
| VQFN (RWH) | 32 | 옵션 보기 |
주문 및 품질
포함된 정보:
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- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
포함된 정보:
- 팹 위치
- 조립 위치