JAJSNB6C november   2021  – may 2023 INA350

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 概要
  5. 4 改訂履歴
  6. 5 デバイス比較表
  7. 6 ピン構成および機能
  8. 7 仕様
    1. 7.1 絶対最大定格
    2. 7.2 ESD 定格
    3. 7.3 推奨動作条件
    4. 7.4 熱に関する情報
    5. 7.5 電気的特性
    6. 7.6 代表的特性
  9. 8 詳細説明
    1. 8.1 概要
    2. 8.2 機能ブロック図
    3. 8.3 機能説明
      1. 8.3.1 ゲイン設定
        1. 8.3.1.1 ゲイン誤差とドリフト係数
      2. 8.3.2 入力同相電圧範囲
      3. 8.3.3 EMI 除去
      4. 8.3.4 代表的な仕様と分布
      5. 8.3.5 電気的オーバーストレス
    4. 8.4 デバイスの機能モード
  10. 9 アプリケーションと実装
    1. 9.1 アプリケーション情報
      1. 9.1.1 リファレンス・ピン
      2. 9.1.2 入力バイアス電流のリターン・パス
    2. 9.2 代表的なアプリケーション
      1. 9.2.1 抵抗性ブリッジ圧力センサ
        1. 9.2.1.1 設計要件
        2. 9.2.1.2 詳細な設計手順
        3. 9.2.1.3 アプリケーション曲線
    3. 9.3 電源に関する推奨事項
    4. 9.4 レイアウト
      1. 9.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 9.4.2 レイアウト例
  11. 10デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 10.1 デバイスのサポート
      1. 10.1.1 開発サポート
        1. 10.1.1.1 PSpice® for TI
    2. 10.2 ドキュメントのサポート
      1. 10.2.1 関連資料
    3. 10.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 10.4 サポート・リソース
    5. 10.5 商標
    6. 10.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 10.7 用語集
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

パッケージ・オプション

メカニカル・データ（パッケージ｜ピン）
サーマルパッド・メカニカル・データ
発注情報

8.3.1 ゲイン設定

INA350ABS のゲイン計算式は、式 1 で与えられます。

式 1. G = 1 + 180   k Ω R G  

INA350ABS の内部ゲイン抵抗 RG の値は、次のゲイン式で求められます。

式 2. R G = 180   k Ω G - 1  

同様に、INA350CDS のゲイン計算式は、式 3 で与えられます。

式 3. G = 1   +   290   k Ω R G  

INA350CDS の内部ゲイン抵抗 RG の値は、次のゲイン式で求められます。

式 4. R G =   290   k Ω G   -   1  

表 8-1 は、INA350ABS と INA350CDS で異なるゲイン・オプションを選択する方法を示しています。ここに示されている 60kΩ、90kΩ、145kΩ の抵抗はすべて、オンチップ抵抗の標準値です。

表 8-1 ゲイン選択表
デバイスゲイン選択 (GS)選択したゲイン
INA350ABSHigh または未接続20
Low10
INA350CDSHigh または未接続50
Low30