JAJAA33 September   2025 UCC57108-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1はじめに
  5. 2TI の非絶縁型 SiC MOSFET ゲート ドライバの概要
  6. 3SiC MOSFET ゲート ドライバ設計の検討事項
    1. 3.1 低電圧誤動作防止 (UVLO)
    2. 3.2 負バイアス電源 (バイポーラ駆動)
    3. 3.3 短絡保護
      1. 3.3.1 脱飽和保護
      2. 3.3.2 過電流保護
      3. 3.3.3 ソフト ターンオフ
  7. 4PFC CCM 昇圧ローサイド ゲート ドライバの例
    1. 4.1 ゲート ドライバの要件
    2. 4.2 ゲート ドライバの選択
    3. 4.3 ゲート ドライバ消費電力
  8. 5まとめ
  9. 6参考資料

概要

小型フォームファクタでより高い電力密度が求められるようになったことで、シリコン カーバイド (SiC) のようなワイドバンド ギャップ半導体技術の普及が進んでいます。これらのスイッチは従来、より大電力 (10kW 超) の設計で使用されてきました。多くの場合、絶縁型ゲート ドライバ、特に電気自動車や充電ステーションで使用されていました。SiC テクノロジーがスケール化を継続する中で、低消費電力の非絶縁型アプリケーション向けに SiC テクノロジーを検討する産業用のお客様が増加しています。このアプリケーション ノートでは、SiC MOSFET 向けの非絶縁型ローサイド ゲート ドライバであるテキサス インスツルメンツ (TI) の製品ラインアップの概要を説明します。適切なシステム設計に関する主な検討事項と、力率補正 (PFC) の設計例も紹介します。