1 はじめに

シリコン カーバイド (SiC) パワースイッチは、高スイッチング周波数、高電圧、大電流に対応できることから、産業用途および自動車用途の両方で普及しています。SiC MOSFET の設計は、高周波アプリケーションと大電力アプリケーションの間で適切なバランスを実現します。ゲート ドライバは SiC MOSFET を効果的に制御するうえで重要な役割を果たし、SiC MOSFET が安全動作領域内にとどまることを確認するためには、ゲート ドライバのシステム設計を慎重に行うことが不可欠です。

図 1-1 パワースイッチ テクノロジーと一般的なアプリケーション

このアプリケーション ノートでは、テキサス インスツルメンツの非絶縁ローサイド ゲート ドライバ製品について説明し、低電圧ロックアウト (UVLO)、短絡保護、負バイアス供給対応といった機能の設計詳細も含めて解説します。力率補正 (PFC) の連続導通モード (CCM) 昇圧トポロジを目的としたゲート ドライバの設計例を提示しています。ゲート ドライバの要件は、最大電源電圧 (V_DD) 定格、ピーク電流能力、UVLO スレッショルド、短絡保護設計、外部ゲート駆動抵抗、消費電力を基準として説明されています。