JAJAA33 September   2025 UCC57108-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1はじめに
  5. 2TI の非絶縁型 SiC MOSFET ゲート ドライバの概要
  6. 3SiC MOSFET ゲート ドライバ設計の検討事項
    1. 3.1 低電圧誤動作防止 (UVLO)
    2. 3.2 負バイアス電源 (バイポーラ駆動)
    3. 3.3 短絡保護
      1. 3.3.1 脱飽和保護
      2. 3.3.2 過電流保護
      3. 3.3.3 ソフト ターンオフ
  7. 4PFC CCM 昇圧ローサイド ゲート ドライバの例
    1. 4.1 ゲート ドライバの要件
    2. 4.2 ゲート ドライバの選択
    3. 4.3 ゲート ドライバ消費電力
  8. 5まとめ
  9. 6参考資料

5 まとめ

このアプリケーション ノートでは、テキサス インスツルメンツ (TI) のシリコン カーバイド (SiC) スイッチ向け非絶縁ローサイド ゲート ドライバ設計について説明します。TI のゲート ドライバは、必要な保護機能を備えて SiC パワー スイッチを制御でき、産業用および自動車用システムにおいて高電力密度かつ小型フォーム ファクタの設計を可能にします。