JAJAA33
September 2025
UCC57108-Q1
1
概要
商標
1
はじめに
2
TI の非絶縁型 SiC MOSFET ゲート ドライバの概要
3
SiC MOSFET ゲート ドライバ設計の検討事項
3.1
低電圧誤動作防止 (UVLO)
3.2
負バイアス電源 (バイポーラ駆動)
3.3
短絡保護
3.3.1
脱飽和保護
3.3.2
過電流保護
3.3.3
ソフト ターンオフ
4
PFC CCM 昇圧ローサイド ゲート ドライバの例
4.1
ゲート ドライバの要件
4.2
ゲート ドライバの選択
4.3
ゲート ドライバ消費電力
5
まとめ
6
参考資料
6
参考資料
テキサス インスツルメンツ、『
シリコンカーバイド MOSFET の短絡保護について
』、アプリケーション ノート。
テキサス インスツルメンツ、『
安全な IGBT および SiC MOSFET パワー スイッチ動作に高 UVLO が重要な理由
』アプリケーション ノート。
テキサス インスツルメンツ、『
『ゲート ドライバ用の外部ゲート抵抗設計ガイド
』アプリケーション ノート。
テキサス インスツルメンツ、
ローサイド ゲート ドライバ (バイポーラ駆動) を使用し、負バイアスを使用して SiC FET または IGBT を駆動する方法
、E2E™ 設計サポート フォーラム。
テキサス インスツルメンツ、『
SiC ゲート ドライバの基礎
』、電子書籍。
テキサス インスツルメンツ、『
ゲート ドライバの電力損失と熱に関する考慮事項
』、ビデオ。