JAJAA33 September   2025 UCC57102 , UCC57102-Q1 , UCC57102Z , UCC57102Z-Q1 , UCC57108 , UCC57108-Q1 , UCC57132 , UCC57132-Q1 , UCC57138 , UCC57138-Q1 , UCC57142 , UCC57142-Q1 , UCC57148 , UCC57148-Q1

 

  1.   1
  2.   概要
  3.   商標
  4. 1はじめに
  5. 2TI の非絶縁型 SiC MOSFET ゲート ドライバの概要
  6. 3SiC MOSFET ゲート ドライバ設計の検討事項
    1. 3.1 低電圧誤動作防止 (UVLO)
    2. 3.2 負バイアス電源 (バイポーラ駆動)
    3. 3.3 短絡保護
      1. 3.3.1 脱飽和保護
      2. 3.3.2 過電流保護
      3. 3.3.3 ソフト ターンオフ
  7. 4PFC CCM 昇圧ローサイド ゲート ドライバの例
    1. 4.1 ゲート ドライバの要件
    2. 4.2 ゲート ドライバの選択
    3. 4.3 ゲート ドライバ消費電力
  8. 5まとめ
  9. 6参考資料

3.3.2 過電流保護

過電流保護 (OCP) は、電流をベースにした短絡保護のもう 1 つのタイプです。図 3-4 に、OCP回路を示します。ID の測定にシャント抵抗を使用すると、シャント電圧が得られます。短絡が発生すると、ID が大きいとシャント電圧は high に上昇します。シャント電圧が OCP 電圧スレッショルドを上回ると、コンパレータは短絡が検出されたことを示します。

シャント抵抗値は、OCP をトリガするために必要なドレイン電流 (通常、SiC MOSFET が処理可能な最大ドレイン電流よりわずか小さい) に基づいて選択されます。これは式 3で計算できます。

式 3. R S = V O C T H / I D ( O C )
OCP 回路図 3-4 OCP 回路