JAJSBW5H
November 2011 – September 2025
UCC27211
PRODUCTION DATA
1
1
特長
2
アプリケーション
3
説明
4
ピン構成および機能
5
仕様
5.1
絶対最大定格
5.2
ESD 定格
5.3
推奨動作条件
5.4
熱に関する情報
5.5
電気的特性
5.6
スイッチング特性
5.7
タイミング図
5.8
代表的特性
6
詳細説明
6.1
概要
6.2
機能ブロック図
6.3
機能説明
6.3.1
入力段
6.3.2
低電圧誤動作防止 (UVLO)
6.3.3
レベル シフト
6.3.4
ブート ダイオード
6.3.5
出力段
6.4
デバイスの機能モード
7
アプリケーションと実装
7.1
アプリケーション情報
7.2
代表的なアプリケーション
7.2.1
設計要件
7.2.2
詳細な設計手順
7.2.2.1
入力スレッショルドのタイプ
7.2.2.2
VDD バイアス電源電圧
7.2.2.3
ソースおよびシンク ピーク電流
7.2.2.4
伝搬遅延
7.2.2.5
消費電力
7.2.3
アプリケーション曲線
7.3
電源に関する推奨事項
7.4
レイアウト
7.4.1
レイアウトのガイドライン
7.4.2
レイアウト例
7.4.3
熱に関する注意事項
8
デバイスおよびドキュメントのサポート
8.1
サード・パーティ製品に関する免責事項
8.2
ドキュメントのサポート
8.2.1
関連資料
8.3
ドキュメントの更新通知を受け取る方法
8.4
サポート・リソース
8.5
商標
8.6
静電気放電に関する注意事項
8.7
用語集
9
改訂履歴
10
メカニカル、パッケージ、および注文情報
1
特長
ハイサイド / ローサイド構成の 2 つの N チャネル MOSFET を独立した入力で駆動
最大ブート電圧:120V DC
ソース 3.7A、シンク 4.5A の出力電流
入力ピンは電源電圧範囲に依存せず –10V~20V を入力可能
TTL 互換の入力バージョン
8V~17V VDD の動作範囲 (絶対最大定格 20V)
立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns (1000pF 負荷時)
高速伝搬遅延時間 (標準 20ns)
遅延マッチング:4ns
ハイサイドおよびローサイド ドライバに対して対称的な低電圧誤動作防止機能
すべての業界標準パッケージを供給 (SOIC-8、
PowerPAD™
SOIC-8、4mm × 4mm SON-8、および 4mm × 4mm SON-10)
-40℃~150℃で動作が規定