JAJSBW5H November 2011 – September 2025 UCC27211
PRODUCTION DATA

| ピン | I/O | 説明 | ||
|---|---|---|---|---|
| 名称 | D/DDA/DRM | DPR | ||
| VDD | 1 | 1 | P | ローサイド ゲート ドライバへの正電源。このピンを VSS (GND) にデカップリングします。デカップリング コンデンサの標準範囲は 0.22µF〜4.7µF です ((2)を参照)。 |
| HB | 2 | 2 | P | ハイサイド ブートストラップ電源。ブートストラップ ダイオードはオンチップですが、外部ブートストラップ コンデンサが必要です。ブートストラップ コンデンサの正側をこのピンに接続します。HB バイパス コンデンサの標準範囲は 0.022µF〜0.1µF です。コンデンサの値はハイサイド MOSFET のゲート電荷に依存しており、速度およびリップルの条件に基づいて選択する必要があります。 |
| HO | 3 | 3 | O | ハイサイド出力。ハイサイド パワー MOSFET のゲートに接続します。 |
| HS | 4 | 4 | P | ハイサイド ソース接続。ハイサイド パワー MOSFET のソースに接続します。ブートストラップ コンデンサの負側をこのピンに接続します。 |
| HI | 5 | 7 | I | ハイサイド入力。(3) |
| LI | 6 | 8 | I | ローサイド入力。(3) |
| VSS | 7 | 9 | G | デバイスの負電源端子で、通常は接地されています。 |
| LO | 8 | 10 | O | ローサイド出力。ローサイド パワー MOSFET のゲートに接続します。 |
| N/C | — | 5/6 | — | 接続なし。 |
| PowerPAD™(1) | パッド | パッド | G | DDA、DRM、および DPR パッケージでのみ使用されます。VSS (GND) を電気的に基準とします。熱性能を向上させるため、大きな熱質量パターンまたは GND プレーンに接続します。 |