JAJSBW5H November   2011  – September 2025 UCC27211

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1 絶対最大定格
    2. 5.2 ESD 定格
    3. 5.3 推奨動作条件
    4. 5.4 熱に関する情報
    5. 5.5 電気的特性
    6. 5.6 スイッチング特性
    7. 5.7 タイミング図
    8. 5.8 代表的特性
  7. 6 詳細説明
    1. 6.1 概要
    2. 6.2 機能ブロック図
    3. 6.3 機能説明
      1. 6.3.1 入力段
      2. 6.3.2 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      3. 6.3.3 レベル シフト
      4. 6.3.4 ブート ダイオード
      5. 6.3.5 出力段
    4. 6.4 デバイスの機能モード
  8. 7 アプリケーションと実装
    1. 7.1 アプリケーション情報
    2. 7.2 代表的なアプリケーション
      1. 7.2.1 設計要件
      2. 7.2.2 詳細な設計手順
        1. 7.2.2.1 入力スレッショルドのタイプ
        2. 7.2.2.2 VDD バイアス電源電圧
        3. 7.2.2.3 ソースおよびシンク ピーク電流
        4. 7.2.2.4 伝搬遅延
        5. 7.2.2.5 消費電力
      3. 7.2.3 アプリケーション曲線
    3. 7.3 電源に関する推奨事項
    4. 7.4 レイアウト
      1. 7.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 7.4.2 レイアウト例
      3. 7.4.3 熱に関する注意事項
  9. 8 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 8.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 8.2 ドキュメントのサポート
      1. 8.2.1 関連資料
    3. 8.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 8.4 サポート・リソース
    5. 8.5 商標
    6. 8.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 8.7 用語集
  10. 9 改訂履歴
  11. 10メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.2.2.2 VDD バイアス電源電圧

デバイスの VDD ピンに印加するバイアス電源電圧は、「推奨動作条件」表に記載されている値を超えないようにする必要があります。ただし、パワー スイッチによって、効果的なターンオンとターンオフを実現するためにゲート端子に印加する電圧レベルは異なります。特定のパワー スイッチでは、ターンオンに正のゲート電圧、ターンオフに負のゲート電圧が必要な場合があります。この場合、VDD バイアス電源は電圧差と等しくなります。8V〜17V の広い動作範囲に対応する UCC27211 デバイスは、Si MOSFET、IGBT、ワイドバンドギャップ パワー半導体など、さまざまなパワー スイッチの駆動に使用できます。