JAJSBW5H November 2011 – September 2025 UCC27211
PRODUCTION DATA
UCC27211 デバイスは、ハーフ / フルブリッジまたは同期整流降圧の構成で、N チャネル MOSFET のハイサイドとローサイドの両方を駆動するよう設計されています。フローティング ハイサイド ドライバは、最大 120V の電源電圧で動作できます。これにより、ハーフブリッジ、フルブリッジ、プッシュプル、2 スイッチ フォワード、およびアクティブ クランプ フォワードのコンバータで、N チャネル MOSFET 制御が可能です。
UCC27211 デバイスは、3.7A ソースおよび 4.5A シンク能力、業界最高のスイッチング特性や、表 6-1 に示すその他の多くの機能を備えています。これらの機能を組み合わせることで、高周波スイッチング電源回路で効率的で堅牢、信頼性の高い動作を実現します。
| 機能 | 利点 |
|---|---|
| 3.7A ソースおよび 4.5A シンク | 最小の電力損失で大電力 MOSFET を駆動するのに理想的な大ピーク電流 (ミラー プラトーで高速駆動可能) |
| 入力ピン (HI および LI) は -10VDC〜20VDC を直接処理可能 | 堅牢性およびアンダーシュート / オーバーシュート対処能力を向上。整流ダイオードの使用を必要とせずにゲート駆動トランスと直接インターフェイス可能 |
| 120V 内部ブート ダイオード | 電気通信の 100V サージ要件を満たす電圧マージンを実現 |
| スイッチ ノード (HS ピン) は -(24 - VDD)V の絶対最大電圧に 100ns 間耐えることが可能 | ハイサイド チャネルに対して寄生インダクタンスや浮遊容量によって生じる固有の負電圧からの追加保護が可能。 |
| 電圧スパイクに対処する堅牢な ESD 回路 | dV/dT が大きい条件に対する優れた耐性 |
| 伝搬遅延 20ns、立ち上がり時間 7.2ns、立ち下がり時間 5.5ns | クラス最高のスイッチング特性と非常に小さいパルス伝送歪み |
| チャネル間遅延マッチング:4ns (標準値) | ブリッジ内のトランスのボルト秒オフセットを回避 |
| 対称型 UVLO 回路 | ハイサイドとローサイドの同時シャットダウンを保証 |
| ヒステリシスが大きい TTL 最適化スレッショルド | アナログまたはデジタル PWM コントローラの補完。ヒステリシスの増大によりノイズ耐性を向上 |
UCC27211 デバイスには、ハイサイドとローサイドに個別の入力があり、アプリケーションの入力制御信号の柔軟性を最大限に許容します。ハイサイド ドライバのバイアス電源用のブート ダイオードは、デバイスに内蔵されています。UCC27211 は、TTL またはロジック互換バージョンです。ハイサイド ドライバはスイッチ ノード (HS) を基準とします。このスイッチ ノードは通常、ハイサイド MOSFET のソース ピン、ローサイド MOSFET のドレイン ピンです。ローサイド ドライバは VSS を基準としており、通常はグランドです。機能として、入力段、UVLO 保護、レベル シフト、ブート ダイオード、出力ドライバ段が含まれています。