JAJSVB4A September   2024  – May 2025 LM65625-Q1 , LM65635-Q1 , LM65645-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 デバイス比較表
  6. 5 ピン構成および機能
  7. 6 仕様
    1. 6.1 絶対最大定格
    2. 6.2 ESD 定格
    3. 6.3 推奨動作条件
    4. 6.4 熱に関する情報
    5. 6.5 電気的特性
    6. 6.6 代表的特性
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1 出力電圧の選択
      2. 7.3.2 EN ピンおよび VIN UVLO としての使用
      3. 7.3.3 モード選択
        1. 7.3.3.1 MODE/SYNC ピンを使用した同期
        2. 7.3.3.2 クロックのロック
      4. 7.3.4 可変スイッチング周波数
      5. 7.3.5 デュアル ランダム スペクトラム拡散機能 (DRSS)
      6. 7.3.6 内部 LDO、VCC UVLO、BIAS 入力
      7. 7.3.7 ブートストラップ電圧 (BST ピン)
      8. 7.3.8 ソフトスタートとドロップアウトからの回復
      9. 7.3.9 安全関連の特長
        1. 7.3.9.1 パワー グッド モニタ
        2. 7.3.9.2 過電流および短絡保護
        3. 7.3.9.3 ヒカップ
        4. 7.3.9.4 サーマル シャットダウン
    4. 7.4 デバイスの機能モード
      1. 7.4.1 シャットダウンモード
      2. 7.4.2 アクティブ モード
        1. 7.4.2.1 ピーク電流モード動作
        2. 7.4.2.2 自動モード動作
          1. 7.4.2.2.1 ダイオード エミュレーション
        3. 7.4.2.3 FPWM モード動作
        4. 7.4.2.4 ドロップアウト
        5. 7.4.2.5 ドロップアウトからの回復
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
        2. 8.2.2.2 スイッチング周波数の選択
        3. 8.2.2.3 可変または固定出力電圧モード用 FB
        4. 8.2.2.4 インダクタの選択
        5. 8.2.2.5 出力コンデンサの選択
        6. 8.2.2.6 入力コンデンサの選択
        7. 8.2.2.7 CBOOT
        8. 8.2.2.8 外部 UVLO
        9. 8.2.2.9 最大周囲温度
      3. 8.2.3 アプリケーション曲線
    3. 8.3 設計のベスト プラクティス
    4. 8.4 電源に関する推奨事項
    5. 8.5 レイアウト
      1. 8.5.1 レイアウトのガイドライン
        1. 8.5.1.1 グランドと熱に関する考慮事項
      2. 8.5.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
      1. 9.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
      2. 9.1.2 開発サポート
        1. 9.1.2.1 WEBENCH® ツールによるカスタム設計
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

7.3.9.2 過電流および短絡保護

LM656x5-Q1 は、ハイサイド MOSFET とローサイド MOSFET の両方でサイクル毎に電流を制限することで、過電流状態から保護されます。

下限側 MOSFET 過電流保護機能は、ピーク電流のモード制御の性質を利用して実装されています。HS スイッチ電流は、短いブランキング時間の後に HS がオンになると検出されます。固定電流設定点と、電圧レギュレーション ループの出力からスロープ補償を引いた値のどちらか小さい方と HS スイッチ電流がスイッチング サイクルごとに比較されます。電圧ループには最大値があり、スロープ補償はデューティ サイクルに対応して大きくなるため、デューティ サイクルが 35% より大きい場合、デューティ サイクルが大きくなると HS 電流制限値は下がります。

LS スイッチがオンになると、LS スイッチを流れる電流も検出、監視されます。ローサイド MOSFET は、ハイサイド MOSFET と同様に、電圧制御ループの指示に従ってオフになります。ローサイド デバイスでは、発振器が正常に新しいスイッチング サイクルを開始したとしても、電流制限を超えるとターンオフは禁止されます。また、ハイサイド デバイスと同様に、ターンオフ電流に許容される高さに限界があります。この制限値はローサイド電流制限と呼ばれます。値については、「電気的特性」を参照してください。LS 電流制限を超えた場合、LS MOSFET はオン状態を維持し、HS スイッチはターンオンしません。LS 電流が制限値を下回ると、LS スイッチがオフになります。HS デバイスが最後にオンになってから 1 クロック周期以上が経過しさえすれば、HS スイッチは再度オンになります。

LM65625-Q1 LM65635-Q1 LM65645-Q1 電流制限波形図 7-9 電流制限波形

ハイサイドおよびローサイド電流制限の動作による正味の影響は、IC がヒステリシス制御で動作することです。電流波形は IL-HS と IL-LS の間の値をとるため、 デューティ サイクルが極めて高い場合を除き、出力電流はこれらの 2 つの値の平均値に近い値になります。電流制限での動作後、出力電圧がゼロに近づくにつれて、ヒステリシス制御が使われ電流は増加しなくなります。

デューティ サイクルが非常に大きい場合は、不安定性を防止するためリップル電流を非常に小さくする必要があります。セクション 8.2.2.4を参照してください。電流リップルが低いため、このデバイスは全負荷電流を供給できます。供給される電流は IL-LS に近くなります。

過負荷状態が解消されると、本デバイスはソフトスタート中であるかのように回復します (セクション 7.3.8 を参照)。出力電圧が意図した出力電圧の約 0.4 倍を下回り、64 回の連続スイッチング サイクルが経過した場合、ヒカップがトリガされる可能性があることに注意してください。