JAJSXR1 December   2025 UCC21711-Q1

PRODUCTION DATA  

  1.   1
  2. 1 特長
  3. 2 アプリケーション
  4. 3 説明
  5. 4 ピン構成および機能
  6. 5 仕様
    1. 5.1  絶対最大定格
    2. 5.2  ESD 定格
    3. 5.3  推奨動作条件
    4. 5.4  熱に関する情報
    5. 5.5  電力定格
    6. 5.6  絶縁仕様
    7. 5.7  安全関連認証
    8. 5.8  安全限界値
    9. 5.9  電気的特性
    10. 5.10 スイッチング特性
    11. 5.11 絶縁特性曲線
    12. 5.12 代表的特性
  7. 6 パラメータ測定情報
    1. 6.1 伝搬遅延
      1. 6.1.1 通常のターンオフ
    2. 6.2 入力デグリッチ フィルタ
    3. 6.3 アクティブ ミラー クランプ
      1. 6.3.1 内部オンチップ アクティブ ミラー クランプ
    4. 6.4 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      1. 6.4.1 VCC UVLO
      2. 6.4.2 VDD UVLO
    5. 6.5 OC (過電流) 保護
      1. 6.5.1 ソフト ターンオフによる OC 保護
  8. 7 詳細説明
    1. 7.1 概要
    2. 7.2 機能ブロック図
    3. 7.3 機能説明
      1. 7.3.1  電源
      2. 7.3.2  ドライバ段
      3. 7.3.3  VCC および VDD 低電圧誤動作防止 (UVLO)
      4. 7.3.4  アクティブ プルダウン
      5. 7.3.5  短絡クランプ
      6. 7.3.6  内部アクティブ ミラー クランプ
      7. 7.3.7  過電流および短絡保護
      8. 7.3.8  ソフト ターンオフ
      9. 7.3.9  フォルト (FLT、リセット、およびイネーブル (RST/EN))
      10. 7.3.10 アナログから PWM への信号変換および絶縁機能
    4. 7.4 デバイスの機能モード
  9. 8 アプリケーションと実装
    1. 8.1 アプリケーション情報
    2. 8.2 代表的なアプリケーション
      1. 8.2.1 設計要件
      2. 8.2.2 詳細な設計手順
        1. 8.2.2.1 IN+、IN–、RST/EN の入力フィルター
        2. 8.2.2.2 IN+ および IN- の PWM インターロック
        3. 8.2.2.3 FLT、RDY、および RST/EN ピン回路
        4. 8.2.2.4 RST/EN ピン制御
        5. 8.2.2.5 ゲート抵抗のオンとオフの切り替え
        6. 8.2.2.6 過電流および短絡保護
          1. 8.2.2.6.1 SenseFET 内蔵パワー モジュールをベースとする保護機能
          2. 8.2.2.6.2 非飽和回路に基づく保護
          3. 8.2.2.6.3 電源ループのシャント抵抗に基づく保護
        7. 8.2.2.7 絶縁型アナログ シグナル センシング
          1. 8.2.2.7.1 絶縁型温度センシング
          2. 8.2.2.7.2 絶縁型 DC バス電圧センシング
        8. 8.2.2.8 外部電流バッファを使用した高出力電流
    3. 8.3 電源に関する推奨事項
    4. 8.4 レイアウト
      1. 8.4.1 レイアウトのガイドライン
      2. 8.4.2 レイアウト例
  10. 9 デバイスおよびドキュメントのサポート
    1. 9.1 デバイス サポート
      1. 9.1.1 サード・パーティ製品に関する免責事項
    2. 9.2 ドキュメントのサポート
      1. 9.2.1 関連資料
    3. 9.3 ドキュメントの更新通知を受け取る方法
    4. 9.4 サポート・リソース
    5. 9.5 商標
    6. 9.6 静電気放電に関する注意事項
    7. 9.7 用語集
  11. 10改訂履歴
  12. 11メカニカル、パッケージ、および注文情報

8.2.2.8 外部電流バッファを使用した高出力電流

IGBT ゲート ドライブ電流を増やすには、非反転電流バッファ (図 8-16に示す NPN/PNP バッファなど) を使用できます。反転タイプは脱飽和フォルト保護回路と互換性がないため、回避する必要があります。MJD44H11/MJD45H11 のペアは最大 15A のピーク電流に適しており、D44VH10/D45VH10 ペアは最大 20A のピーク電流に対応します。

過電流検出の場合、ソフト ターンオフ (STO) が起動します。外部バッファを使用する場合には、通常のターンオフ速度の代わりに STO を実装するために、外部部品を追加する必要があります。CSTO はソフト ターンオフのタイミングを設定し、RSTO は突入電流を内部 FET の電流定格 (10A) 未満に制限します。RSTO は、 (VDD-VEE)/10 以上にする必要があります。ソフト ターンオフ タイミングは、400mA の内部電流ソースおよびコンデンサ CSTO によって決定されます。CSTO は、式 14を使用して計算されます。

式 14. UCC21711-Q1
  • ISTO は、内部 STO 電流ソース 400mA です。
  • tSTO は、必要な STO タイミングです。
UCC21711-Q1 駆動能力を向上させるための電流バッファ図 8-16 駆動能力を向上させるための電流バッファ