El nitruro de galio (GaN) es un semiconductor de banda ancha que permite una conmutación más rápida, una mayor eficiencia y densidad de potencia que las soluciones tradicionales de silicio. Esto permite diseños más pequeños y ligeros con un rendimiento térmico mejorado y menor pérdida de potencia. La tecnología GaN de TI admite un amplio rango de aplicaciones, como electrónica de consumo, centros de datos, infraestructura de red telecomunicaciones y electrónica de potencia automotriz manteniendo un alto rendimiento y fiabilidad.
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Maximice la eficiencia y logre una mayor densidad de potencia con la tecnología GaN
A medida que aumenta la demanda de potencia, la adopción de GaN sigue acelerándose en las arquitecturas de última generación. Nuestras etapas de potencia GaN totalmente integradas combinan transistores electromagnéticos (HEMT), controladores, protección y control de GaN en una solución de chip único diseñada para aplicaciones que incluyen centros de datos, alimentación de servidores, inversores solares, sistemas industriales, automoción y más.
- Habilite una alta frecuencia de conmutación de hasta 1 MHz para reducir el magnetismo y aumentar la densidad de potencia.
- Reduzca las pérdidas por conmutación para mejorar la eficiencia y simplificar los circuitos de polarización.
- Integre el controlador y la protección para simplificar el diseño y reducir los elementos parásitos del bucle.
Achieving GaN Products With Lifetime Reliability
Application of GaN FET in Humanoid Robots
Diseño de referencia de rectificador CA-CC monofásico de 3.6 kW y 54 V con todos los interruptores de GaN
LMG3670R010PRESENTACIÓN PRELIMINAR
LMG3650R035ACTIVO
LMG2100R044ACTIVO
Mejore el rendimiento & simplifique el diseño de las fuentes de alimentación
Nuestros productos de CA/CC con tecnología GaN integrada están diseñados para aplicaciones de última generación, como adaptadores, electrodomésticos, alimentación de servidores y cargadores. Mediante la integración de HEMT de GaN de alto rendimiento, como los presentes en el UCG28826, estas soluciones ofrecen la mayor densidad de potencia del sector, una alta eficiencia y un bajo consumo de potencia en modo de espera.
- Simplifique el diseño y mejore la eficiencia con polarización propia y detección sin auxiliares.
- Reduzca el costo de la lista de materiales (BOM) integrando funciones de arranque de alta tensión, descarga del condensador X y protección.
- Compatible con EMC con conmutación cuasirresonante, funcionamiento en modo de carga y control de velocidad de subida.
How an auxless GaN flyback converter can solve AC/DC adapter design challenges (Rev. A)
Demostración del cargador USB-C® de 65 W con retorno de GaN con polarización propia
Diseño de referencia de cargador USB Power Delivery con convertidor de retorno de GaN con autopolarización
Convertidores buck y boost con FET de GaN integrados
Diseñadas para sistemas de potencia más pequeños, ligeros y eficientes. Estas soluciones reducen las compensaciones tradicionales entre tamaño, eficiencia y rendimiento. Al aprovechar la avanzada tecnología de GaN, los ingenieros logran un rendimiento superior al que permiten los diseños basados en silicio.
- Ofrezca una mayor potencia en soluciones de menor tamaño.
- Consiga una mayor eficiencia para aplicaciones exigentes de alta potencia.
- Simplifique el diseño integrando FET de GaN, controlador, accionadores y circuitos de arranque en un solo paquete.
Diseño de referencia de módulo reductor tetrafásico de 1/4 de ladrillo de 48 V–12 V y 2 kW de GaN
Diseño de referencia de convertidor boost de GaN sincrónico 3 V a 42 V
LMG708B0PRESENTACIÓN PRELIMINAR
Mayor eficiencia del accionador, densidad de potencia & control suave
Nuestros controladores para motores de GaN integrados, que incluyen los módulos de potencia inteligentes (IPM) de GaN líderes en el sector, ofrecen > una eficiencia del inversor del 99 %, optimizan el rendimiento térmico y minimizan las pérdidas de potencia. Para aplicaciones como electrodomésticos, robótica, bicicletas eléctricas, drones y herramientas eléctricas, nuestros controladores GaN proporcionan un control armónico superior para un funcionamiento más silencioso, un rendimiento más suave y un control del motor preciso. Esto reduce los costos del sistema, el consumo de energía y habilita que los diseños compactos cumplan los requisitos de eficiencia.
- Reduzca un 50 % el tamaño de la placa de circuito impreso (PCB) con etapas de potencia de medio puente GaN integradas.
- Reduzca las pérdidas de potencia hasta en un 50 % a altas frecuencias de conmutación (100 kHz).
- Minimice el tiempo muerto (<150 ns) y optimice la conmutación para reducir la distorsión de la corriente y mejorar la acústica.
How Three-Phase Integrated GaN Technology Maximizes Motor-Drive Performance
IPM de GaN eficientes
Control de motor articulado para robot de 48 V y 1 kW con diseño de ref. de comunicación industrial
DRV7167PRESENTACIÓN PRELIMINAR
Encuentre recursos para empezar
Revolucione la potencia de alta tensión con GaN de TI
Revolucione su sistema de alta tensión con GaN de TI. Vea cómo nuestra tecnología GaN permite a los ingenieros reducir el tiempo de comercialización de los diseños de conversión de alta tensión y, al mismo tiempo, disminuir los costos del sistema y el impacto medioambiental.
Tres razones por las que el nitruro de galio (GaN) está cambiando la gestión de la energía
Diseño de referencia inversor de motor con corrección del factor de potencia y totém de GaN de 1.3kW
Diseño de referencia de módulo reductor tetrafásico de 1/4 de ladrillo de 48 V–12 V y 2 kW de GaN
Este diseño de referencia es un convertidor de bus de bucle cerrado 48 V a 12 V de alta densidad y 2 kW basado en un reductor tetrafásico para informática empresarial. El diseño alcanza una eficiencia de pico > 98 % y una eficiencia a plena carga del 97.5 % con una VIN de 48 V. El diseño utiliza el (...)
Control de motor articulado para robot de 48 V y 1 kW con diseño de ref. de comunicación industrial
Este diseño de referencia incluye dispositivos MCU-AM261x Sitara™ de TI que controlan un motor conectado a una red Ethernet industrial. El diseño utiliza una placa de circuito impreso (PCB) de 70 mm de diámetro para accionar una articulación de robot humanoide (motor Eyoubot de 48 V y 1 kW). El (...)
Aplicaciones destacadas
Transformar la potencia de las telecomunicaciones y los servidores para las demandas informáticas del mañana
Diseñe sistemas de potencia de telecomunicaciones y servidores para almacenamiento, nube e informática de alto rendimiento con nuestros dispositivos GaN. Estos dispositivos ayudan a cumplir los exigentes requisitos de eficiencia compatibles con los estándares de hasta 80 PLUS® Titanium y permiten una eficiencia de corrección del factor de potencia (PFC) por encima de 99 %. Habilite frecuencias de conmutación por encima de 500 kHz en convertidores CC/CC aislados y eduzca el tamaño de los componentes magnéticos y minimice las pérdidas parásitas mediante el diseño integrado
Diseño de referencia PFC bifásico de frecuencia variable, ZVS, 5 kW, basado en GaN y polo tótem
Diseño de referencia PFC monofásico sin puente de 3 kW y 180 W/in3 con entrada máxima de 16 A
Este diseño de referencia demuestra un método para controlar un convertidor de corrección del factor de potencia (PFC) de tótem en modo de conducción continua utilizando los microcontroladores C2000 F28003x y F28004x. La PFC también funciona como inversor en modo conectado a la red (controlado por (...)
Diseño de referencia de rectificador CA-CC monofásico de 3.6 kW y 54 V con todos los interruptores d
Revolucione el almacenamiento de energía con una eficiencia y densidad sin igual
Diseñe sistemas de almacenamiento de energía y energía solar con dispositivos GaN para lograr una conversión de potencia CA/CC más pequeña y eficiente. El GaN habilita un flujo de potencia bidireccional, lo que permite una integración perfecta del almacenamiento de energía en inversores solares y reduce la dependencia de la red eléctrica. Estas soluciones ofrecen una densidad de potencia de hasta 3 veces mayor (>1.2 kW/L) que los convertidores tradicionales y superan en un 20 % la densidad de los FET de SiC mediante la conmutación de GaN a alta frecuencia (140 kHz). La tecnología GaN reduce el costo del sistema gracias a un menor magnetismo y topologías más simples en comparación con los diseños SiC de 2 niveles.
Diseño de referencia del optimizador de potencia solar de 600 W basado en GaN con comunicación por c
Este diseño de referencia es un optimizador de potencia solar, que puede admitir una tensión de entrada de hasta 80 V y una tensión de salida de 80 V, con una salida y una corriente de entrada de hasta 18 A. El diseño utiliza un convertidor buck-boost configurable de cuatro interruptores para (...)
Alimente dispositivos cotidianos con un rendimiento sin igual
Nuestros dispositivos de GaN integrados de baja potencia ofrecen beneficios excepcionales en eficiencia y densidad de potencia para aplicaciones de consumo cotidiano, tales como adaptadores de teléfonos móviles y computadoras portátiles, unidades de fuente de alimentación para televisores y tomas de pared USB. Con una eficiencia de sistema superior al 95 %, estas soluciones reducen el tamaño de las fuentes CA/CC de consumo hasta en un 50 %, mientras que sus funciones integradas de detección de corriente optimizan la eficiencia y minimizan el espacio ocupado en la placa de circuito impreso.
Diseño de referencia de cargador PD USB CA/CC universal de entrada de CA, 65 W y bajo perfil con GaN
Diseño de referencia de un cargador USB de doble puerto de 65 W con convertidor flyback GaN de polar
Este diseño de referencia es un cargador USB Power Delivery (PD) de doble puerto de 65 W con retorno de nitruro de galio (GaN) de polarización propia. Este diseño puede suministrar 65 W de potencia nominal completa de 90 VAC a 264 VAC y cumplir con estándares y reglamentaciones de eficiencia como (...)
Alta densidad de potencia en vehículos eléctricos con nuestra tecnología GaN
La nueva generación de cargadores en placa (OBC) monofásicos y convertidores CC/CC de alta a baja tensión en vehículos eléctricos (EV) e híbridos (HEV) utiliza dispositivos de potencia de GaN para alcanzar mayores frecuencias de conmutación y reducir el tamaño de los componentes magnéticos. Esto ofrece una densidad de potencia superior en comparación con las alternativas basadas en silicio y SiC. Estas soluciones ofrecen más potencia que el SiC en volúmenes equivalentes con frecuencias de conmutación superiores a 500 kHz para CLLLC y 120 kHz para PFC. Al mismo tiempo, consiguen una eficiencia combinada a nivel de sistema de 96.5 % y cuentan con controladores de compuertas integrados que simplifican significativamente el diseño a nivel de sistema.
Condensador flotante basado, diseño referencia GaN neutro, 15 kW a 30 kW, bidireccional, trifásico
Este diseño de referencia proporciona una plantilla de diseño para implementar una etapa de potencia del condensador flotante basado en nitruro de galio (GaN), trifásico de tres niveles y neutro. El uso de dispositivos de potencia de conmutación rápida permite la conmutación a una frecuencia (...)
Obtenga una mayor eficiencia energética y un factor de forma más compacto en etapas de potencia PFC para calefacción, ventilación y aire acondicionado (HVAC) y electrodomésticos con nuestros dispositivos GaN
Los accionamientos de motor eficientes resultan fundamentales para que los electrodomésticos y sistemas de climatización (HVAC) cumplan con los estrictos estándares energéticos globales; en este contexto, nuestros portafolios de etapas de potencia de GaN y módulos de potencia inteligentes (IPM) ofrecen una mayor eficiencia frente a los IGBT y MOSFET. Esto reduce eficazmente el tamaño y el costo del sistema. Estas soluciones logran etapas de potencia de accionamiento de motores con una eficiencia superior a 99 % gracias a las pérdidas por conmutación reducidas. Al mismo tiempo, su tamaño pequeño, alta integración y capacidades de refrigeración natural minimizan aún más las dimensiones y los gastos del sistema, a la vez que proporcionan una acústica mejorada con frecuencias de conmutación más altas de hasta 60 kHz y un menor tiempo muerto.
Diseño de referencia de inversor de motor de 250 W
Este diseño de referencia es un accionamiento de motor de 250 W para grandes electrodomésticos o aplicaciones similares, que ilustra un inversor de motor de alta eficiencia basado en un módulo de alimentación inteligente (IPM) DRV7308 de nitruro de galio (GaN) sin disipador de calor y también (...)
Entrada de 180 VCA a 275 VCA, retorno CA/CC 96 W, 24 V con dis. de ref. de GaN con autopolarización
Este diseño de referencia es una fuente de alimentación que suministra 24 V, 1 A de media y hasta 96 W durante 4 segundos. Este diseño admite todos los casos en los que sea necesario abordar una alta potencia máxima, como el accionamiento del motor o las cargas de potencia transitorias. El (...)
Diseño de referencia de retorno de GaN cuasirresonante
Este diseño de referencia genera una salida de 24 V con una corriente de carga de 2.5 A desde una entrada de 195 VAC a 265 VAC. Este diseño utiliza el retorno de nitruro de galio (GaN) UCG28826 con autopolarización. Este diseño puede suministrar una potencia de salida de 60 W. El diseño no necesita (...)
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