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CSD17578Q3A

AKTIV

30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Einzel-SON 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm

Produktdetails

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 7.3 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 7.9 QGD (typ) (nC) 1.7 QGS (typ) (nC) 3.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 54 ID - package limited (A) 20 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 7.3 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.4 VGSTH typ (typ) (V) 1.5 QG (typ) (nC) 7.9 QGD (typ) (nC) 1.7 QGS (typ) (nC) 3.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 54 ID - package limited (A) 20 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSONP (DNH) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Low Qg and Qgd
  • Low RDS(on)
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Pb-Free
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
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  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This 30 V, 6.3 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

This 30 V, 6.3 mΩ, SON 3.3 mm × 3.3 mm NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion applications.

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Design und Entwicklung

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