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CSD85301Q2

AKTIV

20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz

Produktdetails

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 4.2 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 4.2 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DLV) 6 4 mm² 2 x 2
  • Low on-resistance
  • Dual independent MOSFETs
  • Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
  • Optimized for 5V gate driver
  • Avalanche rated
  • Pb and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Dual independent MOSFETs
  • Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
  • Optimized for 5V gate driver
  • Avalanche rated
  • Pb and halogen free
  • RoHS compliant

The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

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Support-Software

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MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
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Simulationsmodell

CSD85301Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM147A.ZIP (4 KB) - PSpice Model
Berechnungstool

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