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CSD85301Q2

AKTIV

20 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2 mm, 27 mOhm, Gate-ESD-Schutz

Produktdetails

VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 4.2 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 20 VGS (V) 10 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 27 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 39 VGSTH typ (typ) (V) 0.9 QG (typ) (nC) 4.2 QGD (typ) (nC) 1 QGS (typ) (nC) 1.1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DLV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • Low on-resistance
  • Dual independent MOSFETs
  • Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
  • Optimized for 5V gate driver
  • Avalanche rated
  • Pb and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low on-resistance
  • Dual independent MOSFETs
  • Space saving SON 2mm × 2mm plastic package
  • Optimized for 5V gate driver
  • Avalanche rated
  • Pb and halogen free
  • RoHS compliant

The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

The CSD85301Q2 is a 20V, 23mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2mm x 2mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, this part can be used for adaptor, USB input protection and battery charging applications. The dual FETs feature low drain to source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space constrained applications.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD85301Q2 20V Dual N-Channel NexFET Power MOSFETs datasheet (Rev. A) PDF | HTML 21.05.2024
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
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Anwendungshinweis QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 06.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16.11.2011

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD85301Q2 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM147A.ZIP (4 KB) - PSpice-Modell
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Berechnungstool

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
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MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
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