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CSD87502Q2

AKTIV

30 V, N-Kanal-NexFET™-Leistungs-MOSFET, Dual-SON 2 mm x 2, 42 mOhm, Gate-ESD-Schutz

Produktdetails

VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 30 VGS (V) 20 Type N-channel Configuration Dual Rds(on) at VGS=10 V (max) (mΩ) 32.4 Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 42 VGSTH typ (typ) (V) 1.6 QG (typ) (nC) 2.2 QGD (typ) (nC) 0.5 QGS (typ) (nC) 1 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 5 ID - package limited (A) 5 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DLV) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Low On-Resistance
  • Dual Independent MOSFETs
  • Space Saving SON 2 × 2 mm Plastic Package
  • Optimized for 5 V Gate Driver
  • Avalanche Rated
  • Pb and Halogen Free
  • RoHS Compliant

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

The CSD87502Q2 is a 30 V, 27 mΩ N-Channel device with dual independent MOSFETs in a SON 2 x 2 mm plastic package. The two FETs were designed to be used in a half-bridge configuration for synchronous buck and other power supply applications. Additionally, these NexFET power MOSFETs can be used for adaptor, USB input protection, and battery charging applications. The dual FETs feature low drain-to-source on-resistance that minimizes losses and offers low component count for space-constrained applications.

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Technische Dokumentation

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Top-Dokumentation Typ Titel Format-Optionen Neueste englische Version herunterladen Datum
* Datenblatt CSD87502Q2 30 V Dual N-Channel NexFET™ Power MOSFETs datasheet PDF | HTML 16.12.2015
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31.10.2025
Anwendungshinweis MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27.10.2025
Anwendungshinweis Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) PDF | HTML 25.03.2024
Anwendungshinweis Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design PDF | HTML 18.12.2023
Anwendungshinweis QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) PDF | HTML 06.12.2023
Anwendungshinweis Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design PDF | HTML 13.03.2023
Application brief Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs PDF | HTML 31.05.2022
Anwendungshinweis Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16.11.2011

Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Support-Software

NONSYNC-BOOST-FET-LOSS-CALC — NONSYNC BOOST FET LOSS Calculator

MOSFET power loss calculator for non-synchronous boost converter
Unterstützte Produkte und Hardware
Simulationsmodell

CSD87502Q2 Unencrypted PSpice Model Package (Rev. B)

SLPM164B.ZIP (5 KB) - PSpice-Modell
Unterstützte Produkte und Hardware
Berechnungstool

MOTOR-DRIVE-FET-LOSS-CALC — Power Loss Calculation Tool for BLDC Motor Drive

This is an Excel-based MOSFET power loss calculator for brushless DC motor drive applications.
Unterstützte Produkte und Hardware
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SLPR053 — Power Loss Calculation Tool for Synchronous Inverting Buck Boost Converter

MOSFET power loss calculation and selection tool for synchronous inverting buck boost converter
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Wägen Sie rasch Größe, Kosten und Leistung ab, um den optimalen MOSFET basierend auf den Anwendungsbedingungen auszuwählen.
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