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ONET8551T

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11,3-Gbit/s-Transimpedanzverstärker mit RSSI

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Datenblatt

ONET8551T

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Produktdetails

Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 11300 Supply current (typ) (µA) 28000 Supply current (max) (µA) 40000 Deterministic jitter (typ) (ps) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 100
Type Transimpedance and limiting amplifier Data rate (max) (Mbps) 11300 Supply current (typ) (µA) 28000 Supply current (max) (µA) 40000 Deterministic jitter (typ) (ps) 6 Operating temperature range (°C) -40 to 100
DIESALE (Y) — See data sheet WAFERSALE (YS) — See data sheet
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm
  • 9-GHz Bandwidth
  • 10-kΩ Differential Small Signal
    Transimpedance
  • –20-dBm Sensitivity
  • 0.9-µARMS Input Referred Noise
  • 2.5-mAp-p Input Overload Current
  • Received Signal Strength Indication
    (RSSI)
  • 92-mW Typical Power Dissipation
  • CML Data Outputs With On-Chip
    50-Ω Back-Termination
  • On Chip Supply Filter Capacitor
  • Single +3.3-V Supply
  • Die Size: 870 µm x 1036 µm

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.

The ONET8551T device is a high-speed, high-gain, limiting transimpedance amplifier used in optical receivers with data rates up to 11.3 Gbps. It features low-input referred noise, 9-GHz bandwidth, 10-kΩ small signal transimpedance, and a received signal strength indicator (RSSI.

The ONET8551T device is available in die form, includes an on-chip VCC bypass capacitor, and is optimized for packaging in a TO can.

The ONET8551T device requires a single +3.3-V supply. The power-efficient design typically dissipates less than 95 mW. The device is characterized for operation from –40°C to 100°C case (IC back-side) temperature.
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Technische Dokumentation

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Typ Titel Datum
* Data sheet 11.3 Gbps Limiting Transimpedance Amplifier With RSSI, ONET8551T datasheet 24 Okt 2013

Design und Entwicklung

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Test report: PDF
Schaltplan: PDF
Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
DIESALE (Y) —
WAFERSALE (YS) —
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  • MSL-Rating / Spitzenrückfluss
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  • Materialinhalt
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  • Kontinuierliches Zuverlässigkeitsmonitoring
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