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TPS7H2201-SP

AKTIV

Radiation-hardened, QML-P and QML-V, 1.5V to 7V input 6A eFuse

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Datenblatt

TPS7H2201-SP

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Produktdetails

Vabsmax_cont (V) 7.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 1.5 Current limit (max) (A) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting Fault response Auto-retry Ron (typ) (mΩ) 34 Overvoltage response Cut-off Rating Space Soft start Adjustable Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008 Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125
Vabsmax_cont (V) 7.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 1.5 Current limit (max) (A) 7.5 Current limit (min) (A) 0.5 Features Current monitoring, Overvoltage protection, Reverse current blocking always, Soft-start, Thermal shutdown Overcurrent response Circuit breaker, Current limiting Fault response Auto-retry Ron (typ) (mΩ) 34 Overvoltage response Cut-off Rating Space Soft start Adjustable Quiescent current (Iq) (typ) (A) 0.0058 Quiescent current (Iq) (max) (A) 0.008 Device type eFuses and hot swap controllers Operating temperature range (°C) -55 to 125
CFP (HKR) 16 105.6 mm² (— mm × — mm) DIESALE (KGD) — See data sheet mm² (— mm × — mm) HTSSOP (DAP) 32 89.1 mm² (11 mm × 8.1 mm)
  • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220
  • Vendor item drawing available, VID V62/23608
  • Radiation performance:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100krad(Si)
    • Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR) immune to LET = 75MeV-cm2/mg
    • SEFI/SET characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 1.5V to 7V
  • Low on-resistance (RON) of:
    • 35mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for CFP and KGD
    • 23mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for HTSSOP
  • 6A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold enables use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection
  • Programmable and internal current limiting (fast-trip)
  • Programmable fault timer (current limit and retry modes)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad
  • Standard micro circuit available, SMD 5962R17220
  • Vendor item drawing available, VID V62/23608
  • Radiation performance:
    • Radiation hardness assurance (RHA) up to TID 100krad(Si)
    • Single event latchup (SEL), single event burnout (SEB), and single event gate rupture (SEGR) immune to LET = 75MeV-cm2/mg
    • SEFI/SET characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
  • Integrated single channel eFuse
  • Input voltage range: 1.5V to 7V
  • Low on-resistance (RON) of:
    • 35mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for CFP and KGD
    • 23mΩ maximum at 25°C and VIN = 5V for HTSSOP
  • 6A maximum continuous switch current
  • Low control input threshold enables use of 1.2, 1.8, 2.5, and 3.3V logic
  • Configurable rise time (soft start)
  • Reverse current protection
  • Programmable and internal current limiting (fast-trip)
  • Programmable fault timer (current limit and retry modes)
  • Thermal shutdown
  • Ceramic and plastic package with thermal pad

The TPS7H2201 is a single channel eFuse that provides configurable rise time to minimize inrush current and reverse current protection. The device contains a P-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.5V to 7V and can support a maximum continuous current of 6A. The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals.

The TPS7H2201 is available in a ceramic and plastic package with integrated thermal pad allowing for high power dissipation. The device is characterized for operation over the free-air temperature range of –55°C to 125°C.

The TPS7H2201 is a single channel eFuse that provides configurable rise time to minimize inrush current and reverse current protection. The device contains a P-channel MOSFET that can operate over an input voltage range of 1.5V to 7V and can support a maximum continuous current of 6A. The switch is controlled by an on and off input (EN), which is capable of interfacing directly with low-voltage control signals.

The TPS7H2201 is available in a ceramic and plastic package with integrated thermal pad allowing for high power dissipation. The device is characterized for operation over the free-air temperature range of –55°C to 125°C.
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Technische Dokumentation

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Design und Entwicklung

Weitere Bedingungen oder erforderliche Ressourcen enthält gegebenenfalls die Detailseite, die Sie durch Klicken auf einen der unten stehenden Titel erreichen.

Evaluierungsplatine

TPS7H2201EVM — Für die Raumfahrt optimiertes TPS7H2201-Evaluierungsmodul mit 1,5- bis 7-V-Eingangsspannung, 6-A-Las

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Unterstützte Produkte und Hardware
Vorrätig
Limit:
??asset.out-of-stock-ti_de_DE??
Nicht verfügbar
Evaluierungsplatine

TPS7H2201EVM-CVAL — TPS7H2201-SP-Evaluierungsmodul mit 1,5 bis 7 V Eingangsspannung, 6 A Lastschalter und eFuse.

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Phased-Array-Antennen und digitale Strahlformung sind Schlüsseltechnologien, die die Leistung zukünftiger Radarsysteme für die Raumfahrt und die Breitband-Satellitenkommunikation steigern werden. Im Gegensatz zu analoger Strahlformung erfordert digitale Strahlformung in der Regel einen Satz von (...)
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TIDA-070001 — Referenzdesign für Point-of-Load (POL) mit 3 bis 7 VIN und redundanten eFuse-Eingängen für OCP

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Gehäuse Pins CAD-Symbole, Footprints und 3D-Modelle
CFP (HKR) 16 Ultra Librarian
DIESALE (KGD) — Ultra Librarian
HTSSOP (DAP) 32 Ultra Librarian
Es gelten die allgemeinen Geschäftsbedingungen von TI für Evaluierungsartikel.

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