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CSD13202Q2

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de 12 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 9.3 mOhm

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CSD13202Q2

ACTIVO
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Detalles del producto

VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 11.6 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 5.1 QGD (typ) (nC) 0.76 QGS (typ) (nC) 0.98 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 14.4 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) 12 VGS (V) 8 Type N-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 9.3 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 11.6 VGSTH typ (typ) (V) 0.8 QG (typ) (nC) 5.1 QGD (typ) (nC) 0.76 QGS (typ) (nC) 0.98 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 14.4 ID - package limited (A) 22 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
WSON (DQK) 6 4 mm² (2 mm × 2 mm)
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Avalanche Rated
  • Lead-Free Terminal Plating
  • RoHS Compliant
  • Halogen Free
  • SON 2-mm × 2-mm Plastic Package

This 12-V, 7.5-mΩ NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and load management applications. The SON 2 × 2 offers excellent thermal performance for the size of the package.

This 12-V, 7.5-mΩ NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and load management applications. The SON 2 × 2 offers excellent thermal performance for the size of the package.
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Documentación técnica

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