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CSD23280F3

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, protección c

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CSD23280F3

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Detalles del producto

VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -12 VGS (V) -6 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 116 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 165 VGSTH typ (typ) (V) -0.65 QG (typ) (nC) 0.95 QGD (typ) (nC) 0.068 QGS (typ) (nC) 0.3 ID - silicon limited at TC=25°C (A) 1.8 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
PICOSTAR (YJM) 3 0.414 mm² 0.69 x 0.6
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant
  • Low On-Resistance
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • High-operating drain current
  • Ultra-small footprint
    • 0.73 mm × 0.64 mm
  • Ultra-low profile
    • 0.36-mm max height
  • Integrated ESD protection diode
    • Rated > 4-kV HBM
    • Rated > 2-kV CDM
  • Lead and halogen free
  • RoHS compliant

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.

This –12-V, 97-mΩ, P-Channel FemtoFET™ MOSFET is designed and optimized to minimize the footprint in many handheld and mobile applications. This technology is capable of replacing standard small signal MOSFETs while providing a substantial reduction in footprint size.
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Documentación técnica

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Tipo Título Fecha
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Diseño y desarrollo

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12,1 mOhm CSD17308Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 11,8 mOhm CSD17309Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6,3 mOhm CSD17310Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD17311Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD17312Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,7 mOhm CSD17313Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 32 mOhm CSD17318Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 16,9 mOhm CSD17322Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 12,4 mOhm CSD17327Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 15,5 mOhm CSD17381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 117 mOhm, protección cont CSD17382F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 67 mOhm, protección contr CSD17483F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 260 mOhm, protección cont CSD17484F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 1 mm x 0,6 mm, 128 mOhm, protección cont CSD17501Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17505Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,5 mOhm CSD17506Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4 mOhm CSD17507Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17510Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,2 mOhm CSD17522Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 8,1 mOhm CSD17527Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 10,8 mOhm CSD17551Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9 mOhm CSD17551Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 8,8 mOhm CSD17552Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6 mOhm CSD17552Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,2 mOhm CSD17553Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,1 mOhm CSD17555Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,7 mOhm CSD17556Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,8 mOhm CSD17559Q5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,5 mOhm CSD17570Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,92 mOhm CSD17571Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 29 mOhm CSD17573Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,45 mOhm CSD17575Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 3,2 mOhm CSD17576Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,9 mOhm CSD17577Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6,4 mOhm CSD17577Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,8 mOhm CSD17578Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 9,4 mOhm CSD17578Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,3 mOhm CSD17579Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 14,2 mOhm CSD17579Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 13,3 mOhm CSD17581Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 4,7 mOhm CSD17581Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,2 mOhm CSD17585F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de 30 V y canal N, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección con CSD18501Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18502KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 2,9 mOhm CSD18502Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18503KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 4,5 mOhm CSD18503Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,3 mOhm CSD18504KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 7 mOhm CSD18504Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,6 mOhm CSD18509Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,2 mOhm CSD18510KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 1,7 mOhm CSD18510KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, D2PAK simple, 1,7 mOhm CSD18510Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 0,96 mOhm CSD18511KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, TO-220 simple, 2,6 mOhm CSD18511KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, D2PAK simple, 2,6 mOhm CSD18511Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 2,3 mOhm CSD18512Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 1,6 mOhm CSD18513Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18514Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 40 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD18531Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,6 mOhm CSD18532KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 4,2 mOhm CSD18532NQ5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,4 mOhm CSD18532Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 3,2 mOhm CSD18533KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 6,3 mOhm CSD18533Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 5,9 mOhm CSD18534KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 9,5 mOhm CSD18534Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,8 mOhm CSD18535KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 2 mOhm CSD18535KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 2 mOhm CSD18536KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 1,6 mOhm CSD18536KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, D2PAK simple, 1,6 mOhm CSD18537NKCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, TO-220 simple, 14 mOhm CSD18537NQ5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 13 mOhm CSD18540Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 60 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 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CSD19506KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 80 V y canal N, D2PAK simple, 2,3 mOhm CSD19531KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 7,7 mOhm CSD19531Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 6,4 mOhm CSD19532KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 5,6 mOhm CSD19532Q5B — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 4,9 mOhm CSD19533KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 10,5 mOhm CSD19533Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 9,5 mOhm CSD19534KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 16,5 mOhm CSD19534Q5A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 5 mm x 6 mm, 15,1 mOhm CSD19535KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 3,6 mOhm CSD19535KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 3,4 mOhm CSD19536KCS — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, TO-220 simple, 2,7 mOhm CSD19536KTT — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, D2PAK simple, 2,4 mOhm CSD19537Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 14,5 mOhm CSD19538Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 2 mm x 2 mm, 59 mOhm CSD19538Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de 100 V y canal N, SON simple de 3 mm x 3 mm, 61 mOhm CSD22202W15 — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 12,2 mOhm, protección c CSD22204W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 9,9 mOhm, protección co CSD22205L — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, LGA simple de 1,2 mm x 1,2 mm, 9,9 mOhm, protección co CSD22206W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1,5 mm x 1,5 mm, 5,7 mOhm, protección co CSD23202W10 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 53 mOhm, protección contra CSD23203W — MOSFET de potencia NexFET™ de -8 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 19,4 mOhm, protección con CSD23280F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 116 mOhm, protección c CSD23285F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 35 mOhm, protección co CSD23381F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 175 mOhm, protección con CSD23382F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -12 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 76 mOhm, protección cont CSD25202W15 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1.5 mm x 1.5 mm, 26 mOhm, protección co CSD25211W1015 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 33 mOhm, protección cont CSD25213W10 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1 mm, 47 mOhm, protección contra CSD25304W1015 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, WLP simple de 1 mm x 1,5 mm, 32,5 mOhm CSD25310Q2 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 2 mm x 2 mm, 23.9 mOhm CSD25402Q3A — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 3 mm x 3 mm, 8.9 mOhm CSD25404Q3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm CSD25480F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 159 mOhm, protección c CSD25481F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 105 mOhm, protección con CSD25483F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 245 mOhm, protección con CSD25484F4 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 1 mm, 109 mOhm, protección con CSD25485F5 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,8 mm x 1,5 mm, 42 mOhm, protección co CSD25501F3 — MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, LGA simple de 0,6 mm x 0,7 mm, 76 mOhm, protección co
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Modelo de simulación

CSD23280F3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM175A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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Diseños de referencia

TIDA-01589 — Diseño de referencia de audio bidireccional de campo cercano y alta fidelidad con reducción de ruido

Man machine interaction requires an acoustic interface for providing full duplex hands-free communication. In hands-free mode, part of the far-end or near-end audio signal from the speaker is coupled to the microphones. Furthermore, in noisy environments the microphones also capture ambient noise (...)
Design guide: PDF
Esquema: PDF
Diseños de referencia

TIDA-01228 — Diseño de referencia de medición de flujo de agua de baja potencia con detección inductiva

This reference design demonstrates a highly-integrated solution for this application using an inductive sensing technique enabled by the CC1350 SimpleLink™ Wireless MCU and FemtoFET™ MOSFET. This reference design also provides the platform for integration of wireless communications (...)
Design guide: PDF
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
PICOSTAR (YJM) 3 Ultra Librarian
Se aplican los Términos y condiciones estándar de TI para los elementos de evaluación.

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL) / reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

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