Inicio Administración de potencia MOSFET

CSD25404Q3

ACTIVO

MOSFET de potencia NexFET™ de -20 V y canal P, SON simple de 3 mm x 3 mm, 6.5 mOhm

Detalles del producto

VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 10.8 QGD (typ) (nC) 2.2 QGS (typ) (nC) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -104 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VDS (V) -20 VGS (V) -12 Type P-channel Configuration Single Rds(on) at VGS=4.5 V (max) (mΩ) 6.5 Rds(on) at VGS=2.5 V (max) (mΩ) 12.1 VGSTH typ (typ) (V) -0.9 QG (typ) (nC) 10.8 QGD (typ) (nC) 2.2 QGS (typ) (nC) 2.8 ID - silicon limited at TC=25°C (A) -104 Logic level Yes Rating Catalog Operating temperature range (°C) -55 to 150
VSON-CLIP (DQG) 8 10.89 mm² 3.3 x 3.3
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Low RDS(on)
  • Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Pb Free Terminal Plating
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package
  • Ultra-Low Qg and Qgd
  • Low Thermal Resistance
  • Low RDS(on)
  • Halogen Free
  • RoHS Compliant
  • Pb Free Terminal Plating
  • SON 3.3 mm × 3.3 mm Plastic Package

This -20 V, 5.5 mΩ NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion load management applications with a SON 3.3 mm × 3.3 mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.

This -20 V, 5.5 mΩ NexFET power MOSFET is designed to minimize losses in power conversion load management applications with a SON 3.3 mm × 3.3 mm package that offers an excellent thermal performance for the size of the device.

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Documentación técnica

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Documentación principal Tipo Título Opciones de formato Fecha
* Data sheet CSD25404Q3 –20 V P-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet PDF | HTML 02 nov 2015
Application brief Estimating Leakage Currents of Power MOSFETs PDF | HTML 31 oct 2025
Application note MOSFET Support and Training Tools (Rev. G) PDF | HTML 27 oct 2025
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Application note Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs 16 nov 2011

Diseño y desarrollo

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Soporte de software

LOAD-SWITCH-FET-LOSS-CALC Power Loss Calculation Tool for Load Switch

Quickly trade off size, cost and performance to select the optimal MOSFET based on application conditions.
Productos y hardware compatibles

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Modelo de simulación

CSD25404Q3 TINA-TI Spice Model

SLPM237.ZIP (4 KB) - TINA-TI Spice Model
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CSD25404Q3 Unencrypted PSpice Model (Rev. A)

SLPM162A.ZIP (3 KB) - PSpice Model
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Encapsulado Pines Símbolos CAD, huellas y modelos 3D
VSON-CLIP (DQG) 8 Ultra Librarian

Pedidos y calidad

Información incluida:
  • RoHS
  • REACH
  • Marcado del dispositivo
  • Acabado de plomo/material de la bola
  • Clasificación de nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)/reflujo máximo
  • Estimaciones de tiempo medio entre fallas (MTBF)/fallas en el tiempo (FIT)
  • Contenido del material
  • Resumen de calificaciones
  • Monitoreo continuo de confiabilidad
Información incluida:
  • Lugar de fabricación
  • Lugar de ensamblaje

Los productos recomendados pueden tener parámetros, módulos de evaluación o diseños de referencia relacionados con este producto de TI.

Soporte y capacitación

Foros de TI E2E™ con asistencia técnica de los ingenieros de TI

El contenido lo proporcionan “tal como está” TI y los colaboradores de la comunidad y no constituye especificaciones de TI. Consulte los términos de uso.

Si tiene alguna pregunta sobre calidad, encapsulados o pedido de productos de TI, consulte el servicio de asistencia de TI. ​​​​​​​​​​​​​​

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