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製品詳細

Number of channels 1 Vs (max) (V) 40 Vs (min) (V) 10 Input offset (±) (max) (µV) 25 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 13 CMRR (min) (dB) 106 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 2 Input bias current (±) (max) (nA) 20 Iq (typ) (mA) 6.7 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.3 Gain error (±) (max) (%) 0.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.002 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2.5 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -3 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.8
Number of channels 1 Vs (max) (V) 40 Vs (min) (V) 10 Input offset (±) (max) (µV) 25 Voltage gain (min) (V/V) 1 Voltage gain (max) (V/V) 1000 Noise at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 13 CMRR (min) (dB) 106 Input offset drift (±) (max) (µV/°C) 2 Input bias current (±) (max) (nA) 20 Iq (typ) (mA) 6.7 Bandwidth at min gain (typ) (MHz) 0.3 Gain error (±) (max) (%) 0.3 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Rating Catalog Type Resistor Gain nonlinearity (±) (max) (%) 0.002 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 2.5 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) -2.5 Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 3 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) -3 Noise at 0.1 Hz to 10 Hz (typ) (µVPP) 0.8
SOIC (DW) 16 106.09 mm² (10.3 mm × 10.3 mm) TO-CAN (LME) 10 80.2816 mm² (8.96 mm × 8.96 mm) PDIP (N) 14 181.42 mm² (19.3 mm × 9.4 mm) CDIP_SB (JD) 14 138.9395 mm² (— mm × — mm)
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* データシート Very High Accuracy Instrumentation Amplifier データシート 2000/09/27

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