パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 VSON (REU) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 3,000 | LARGE T&R |
ISO6521 の特徴
- デュアルチャネル、CMOS 出力機能的アイソレータ
- 50Mbps のデータ レート
- CMTI が ±150kV/µs (標準値) の堅牢な SiO2 絶縁バリア
- 機能絶縁 (8-REU)：
- 450VRMS、637VDC の動作電圧
- 2000VRMS、2828VDC の過渡電圧 (60s)
- 機能絶縁 (8-D)：
- 450VRMS、637VDC の動作電圧
- 2000VRMS、2828VDC の過渡電圧 (60s)
- 沿面距離 2.2mm 未満のコンパクトな 8-REU パッケージで供給
- 幅広い電源電圧範囲：1.71V～1.89V、2.25V～5.5V
- 1.71V から 5.5V への電圧変換
- デフォルト出力 HIGH (ISO652x) および LOW (ISO652xF) のオプション
- 幅広い温度範囲：–40°C ～ 125°C
- チャネルごとに 1.8mA (標準値、3.3V、1Mbps 時)
- 小さい伝搬遅延：11ns (標準値、3.3V 時)
- 堅牢な電磁両立性 (EMC)
- システム レベルでの ESD、EFT、サージ耐性
- きわめて低い電磁放射
- Leadless-DFN (8-REU) パッケージおよび Narrow-SOIC (D-8) パッケージのオプション
ISO6521 に関する概要
ISO652x デバイスは、安全ではないアプリケーション用の絶縁を必要とするが、コスト重視でスペースに制約があるようなアプリケーション向けに設計された、高性能なデュアル チャネルの機能的アイソレータです。この絶縁バリアは、450VRMS / 637VDC の動作電圧と、2000VRMS / 2828VDC の過渡電圧に対応しています。
デバイスは、CMOS または LVCMOS デジタル I/O を絶縁しながら、低消費電力で高い電磁気耐性と低い放射を実現します。各絶縁チャネルは、 テキサス・インスツルメンツの二重容量性二酸化ケイ素 (SiO2) 絶縁バリアで分離されたロジック入力および出力バッファを備えています。 ISO6520 は 2 つの絶縁チャネルを備えており、どちらのチャネルも同一方向です。 ISO6521 は 2 つの絶縁チャネルを備えており、各チャネルは別方向です。入力電力または入力信号が失われた場合のデフォルト出力は、接尾辞 F のないデバイスでは High、接尾辞 F のあるデバイスでは Low です。詳細は「デバイスの機能モード」のセクションを参照してください。
これらのデバイスにより、UART、SPI、RS-485、RS-232、CAN などのデータ バスのノイズ電流によって敏感な回路が損傷を受けることを防止できます。チップ設計およびレイアウト技法により、 は電磁両立性が大幅に強化されているため、システム レベルの ESD および放射のコンプライアンスを容易に達成できます。