パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 WSON (DPR) | 10 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 1,000 | SMALL T&R |
LM5105 の特徴
- ハイサイドとローサイドの両方のNチャネルMOSFETを駆動
- ピーク・ゲート・ドライバ電流: 1.8A
- ブートストラップ電源電圧範囲: 最大118V DC
- ブートストラップ・ダイオードを内蔵
- TTL互換の単一入力
- ターンオフ遅延(デッドタイム)をプログラム可能
- イネーブル入力ピン
- 短いターンオフ伝搬遅延(標準値26ns)
- 15nsの立ち上がり時間と立ち下がり時間で1000pFを駆動
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
- 放熱特性の優れた10ピンのWSONパッケージ
(4mm×4mm)
アプリケーション
- ソリッド・ステート・モータ・ドライブ
- ハーフ/フルブリッジのパワー・コンバータ
All trademarks are the property of their respective owners.
LM5105 に関する概要
このLM5105は高電圧ゲート・ドライバで、ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを同期整流降圧型またはハーフブリッジ構成で駆動するよう設計されています。フローティングのハイサイド・ドライバは、100Vまでのレール電圧で動作できます。単一の制御入力によりTTL信号レベルと互換で、単一の外付け抵抗により、厳密にマッチングされたターンオン遅延回路を使用して、スイッチング遷移デッドタイムをプログラムできます。ハイサイドのゲート駆動ブートストラップ・コンデンサを充電するため、高電圧ダイオードが搭載されています。堅牢なレベル・シフト技術により、消費電力を抑えながら高速で動作し、クリーンな出力遷移を実現します。低電圧誤動作防止機能により、ローサイドまたはブートストラップ付きのハイサイド電源電圧が動作スレッショルドを下回ると、ゲート・ドライバがディセーブルされます。LM5105は、熱特性が強化されたWSONプラスチック・パッケージで供給されます。