パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,500 | LARGE T&R |
LM5107 の特徴
- ハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動
- 高いピーク出力電流（1.4Aシンク/1.3Aソース）
- 独立したTTL互換入力
- ブートストラップ・ダイオードを内蔵
- ブートストラップ電源電圧：118V DC
- 高速伝搬時間（標準27ns）
- 15nsの立ち上がり/立ち下がり時間で1000pFの負荷を駆動
- 優れた伝搬遅延マッチング（標準2ns）
- 電源レールの低電圧誤動作防止
- 低消費電力
- ISL6700とピン・コンパチブル
- パッケージ:
- SOIC
- WSON（4mm×4mm）
アプリケーション
- 電流供給プッシュプル・コンバータ
- ハーフ/フルブリッジのパワー・コンバータ
- ソリッド・ステート・モーター・ドライブ
- 2スイッチのフォワード・パワー・コンバータ
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LM5107 に関する概要
LM5107は、同期降圧型またはハーフブリッジの構成においてハイサイドとローサイド両方のNチャネルMOSFETを駆動するよう設計された、低コストの高電圧ゲート・ドライバです。フローティング・ハイサイド・ドライバは、最大100Vのレール電圧で動作できます。各出力は、TTL互換の入力スレッショルドによって独立に制御されます。ハイサイド・ゲート・ドライバのブートストラップ・コンデンサの充電用に高電圧ダイオードを内蔵しています。堅牢なレベル・シフタ技術により、消費電力を抑えながら高速で動作し、制御入力ロジックからハイサイド・ゲート・ドライバへのクリーンなレベル遷移を実現します。ローサイドとハイサイド両方の電源レールに低電圧誤動作防止機能が搭載されています。このデバイスは、SOICパッケージ、および熱特性を強化したWSONパッケージで供給されます。
提供されているすべてのパッケージについては、巻末の注文情報を参照してください。