パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SOIC (D) | 8 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 2,500 | LARGE T&R |
LM5110 の特徴
- 2つのNチャネルMOSFETを独立して駆動
- CMOSとバイポーラの複合出力によって出力電流の変動を低減
- シンク5A、ソース3Aの電流能力
- 2つのチャネルを並列接続して駆動電流を2倍にすることが可能
- 互いに独立した入力(TTL互換)
- 短い伝搬時間(代表値25ns)
- 短い立ち上がり/立ち下がり時間(2nF負荷で14ns/12nsの立ち上がり/立ち下がり)
- 専用の入力グランド・ピン(IN_REF)による正負2電源または単一電源による動作
- VCC～VEEの出力スイング(入力グランド基準で負の電圧も可)
- デュアル非反転、デュアル反転、および組み合わせ構成に対応
- シャットダウン入力による低消費電力モード
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護
- 業界標準のゲート・ドライバと互換性のあるピン配置
- パッケージ
- SOIC-8
- WSON-10 (4mm×4mm)
アプリケーション
- 同期整流器ゲート・ドライバ
- スイッチ・モード電源ゲート・ドライバ
- ソレノイドおよびモータ・ドライバ
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LM5110 に関する概要
LM5110デュアル・ゲート・ドライバは、業界標準のゲート・ドライバと比較して、ピーク出力電流および効率が向上しています。“複合”出力ドライバの各ステージではMOSとバイポーラ・トランジスタが並列で動作し、容量性負荷から最大5Aのピーク電流をシンクします。MOSとバイポーラ・デバイスの固有の特性を組み合わせることで、電圧および温度による駆動電流の変動を低減します。入力と出力のグランド・ピンを個別に備えることで負電圧駆動が可能となり、正および負のVGS電圧でMOSFETのゲートを駆動できます。ゲート・ドライバ制御入力は、専用の入力グランド（IN_REF）を基準とします。ゲート・ドライバ出力のスイング範囲はVCCから出力グランドVEEまでであり、VEEはIN_REFに対して負でもかまいません。。低電圧誤動作防止機能、およびシャットダウン入力ピンも搭載されています。入力および出力を互いに接続して2つのドライバを並列で動作させると、駆動電流を2倍にすることができます。このデバイスは、SOIC-8パッケージ、および熱特性を強化したWSON-10パッケージで供給されます。