パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 WQFN (RVR) | 19 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 250 | SMALL T&R |
LMG1210 の特徴
- 最大 50MHz で動作
- 10ns (標準値) の伝搬遅延
- 3.4ns のハイサイド - ローサイド間マッチング
- 最小パルス幅：4ns
- 2 つの制御入力オプション
- デッドタイムを調整可能な 1 つの PWM 入力
- 独立入力モード
- 1.5A ピーク・ソースおよび 3A ピーク・シンク電流
- 外部ブートストラップ・ダイオードによる柔軟性
- 内部 LDO による電圧レールへの適応性
- 高い CMTI：300V/ns
- HO から LO への容量が 1pF 未満
- UVLO および過熱保護
- 低インダクタンスの WQFN パッケージ
LMG1210 に関する概要
超高周波数高効率アプリケーション用に設計された LMG1210 は、調整可能なデッドタイム機能、非常に小さい伝播遅延、3.4ns のハイサイドとローサイドのマッチングといったシステム効率を最適化する特長を備えた、200V のハーフ・ブリッジ MOSFET および窒化ガリウム電界効果トランジスタ (GaN FET) ドライバです。この製品は、電源電圧にかかわらず 5V の電圧で確実にゲートを駆動する LDO も備えています。
各種のアプリケーションで最高の性能を実現するため、LMG1210 では設計者が、ハイサイドのブートストラップ・コンデンサを充電するために最適なブートストラップ・ダイオードを選択できます。ローサイドがオフのときは内部スイッチによりブートストラップ・ダイオードがオフになり、ハイサイド・ブートストラップの過充電を効果的に阻止するとともに、逆方向回復充電を最小限にします。スイッチング損失の増大を抑えるため、GaN FET 両端での追加寄生容量が 1pF 未満に最小化されています。
LMG1210 には、独立入力モード (IIM) と PWM モードの 2 つの制御入力モードがあります。IIMでは、各出力が専用の入力によって別に制御されます。PWMモードでは、単一の入力から2つの補完的な出力信号が生成され、ユーザーは各エッジについてデッド・タイムを0～20nsの範囲で調整できます。LMG1210は-40°C～125°Cの広い温度範囲で動作し、低インダクタンスのWQFNパッケージで供給されます。