パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 QFM (MOF) | 9 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 250 | SMALL T&R |
LMG5200 の特徴
- 15mΩ GaN FETおよびドライバを内蔵
- 電圧定格: 連続80V、パルス100V
- PCBレイアウトが簡単になるようパッケージを最適化、アンダーフィル、クリーページ、クリアランスの要件を撤廃
- 共通ソース・インダクタンスが非常に低いため、ハード・スイッチングのトポロジで過剰なリンギングなしに高いスルー・レートのスイッチングを保証
- 絶縁および非絶縁アプリケーションに最適
- ゲート・ドライバは最高10MHzのスイッチングが可能
- 内部的なブートストラップ電源電圧クランピングにより、GaN FETオーバードライブを防止
- 電源レールの低電圧誤動作防止保護
- 非常に優れた伝搬遅延(標準値29.5ns)およびマッチング(標準値2ns)
- 低消費電力
LMG5200 に関する概要
LMG5200デバイスは80V、10AのドライバにGaNハーフ・ブリッジ電力ステージを加えたもので、エンハンスメント・モードの窒化ガリウム(GaN) FETを使用する統合電力ステージ・ソリューションに使用できます。このデバイスは2つの80V GaN FETで構成され、1つの高周波数GaN FETドライバによりハーフ・ブリッジ構成で駆動されます。
GaN FETは逆方向回復時間がほぼゼロで、入力容量CISSが非常に小さいため、電力変換において大きな利点があります。すべてのデバイスはボンド・ワイヤを一切使用しないパッケージ・プラットフォームに取り付けられ、パッケージの寄生要素は最小限に抑えられます。LMG5200デバイスは、6mm×8mm×2mmの鉛フリー・パッケージで供給され、簡単にPCBへ取り付けできます。
TTLロジック互換の入力は、VCC電圧にかかわらず最高12Vの入力電圧に耐えられます。独自のブートストラップ電圧クランピング技法により、エンハンスメント・モードGaN FETのゲート電圧が安全な動作範囲内であることが保証されます。
このデバイスは、ディスクリートGaN FETに対して、より使いやすいインターフェイスを提供し、その利点を拡大します。小さなフォーム・ファクタで高周波数、高効率の動作が必要なアプリケーションに理想的なソリューションです。LMG5200をTPS53632Gコントローラとともに使用すると、48Vからポイント・オブ・ロード電圧(0.5～1.5V)への直接変換が可能です。