ホーム アンプ オペアンプ (OP アンプ) 高精度オペアンプ (Vos が 1mV 未満)

OPA2392

アクティブ

デュアル、低オフセット (10μV)、低ノイズ (10kHz 時に 4.4nV/√Hz)、fA (フェムトアンペア) 単位のバイアス電流、e-trim™ オペアンプ

製品詳細

Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.7 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.02 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.16 Input bias current (max) (pA) 0.8 GBW (typ) (MHz) 13 Features e-Trim™ Slew rate (typ) (V/µs) 4.5 Rail-to-rail In, Out Iq per channel (typ) (mA) 1.22 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 6.5 CMRR (typ) (dB) 120 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iout (typ) (A) 0.065 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.02 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.02 THD + N at 1 kHz (typ) (%) 0.00025
Number of channels 2 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 5.5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 1.7 Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 0.02 Offset drift (typ) (µV/°C) 0.16 Input bias current (max) (pA) 0.8 GBW (typ) (MHz) 13 Features e-Trim™ Slew rate (typ) (V/µs) 4.5 Rail-to-rail In, Out Iq per channel (typ) (mA) 1.22 Vn at 1 kHz (typ) (nV√Hz) 6.5 CMRR (typ) (dB) 120 Rating Catalog Operating temperature range (°C) -40 to 125 Iout (typ) (A) 0.065 Architecture CMOS Input common mode headroom (to negative supply) (typ) (V) 0 Input common mode headroom (to positive supply) (typ) (V) 0 Output swing headroom (to negative supply) (typ) (V) 0.02 Output swing headroom (to positive supply) (typ) (V) 0.02 THD + N at 1 kHz (typ) (%) 0.00025
DSBGA (YBJ) 9 1.44 mm² (1.2 mm × 1.2 mm) VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm) WSON (DSG) 8 4 mm² (2 mm × 2 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 低いオフセット電圧:±10µV (最大値)
  • 低いドリフト:±0.18µV/℃
  • 低い入力バイアス電流:10fA
  • 低ノイズ:10kHz で 4.4nV/√Hz
  • 低い 1/f ノイズ:2µVPP (0.1Hz〜10Hz)
  • 低い電源電圧範囲:1.7V~5.5V
  • 低い静止電流:1.22mA
  • 高速セトリング:0.75µs (1V ステップ、0.1% まで)
  • 高スルーレート:4.5V/µs
  • 大出力電流:短絡時 +65mA/-55mA
  • ゲイン帯域幅:13MHz
  • レール ツー レール入出力
  • 仕様温度範囲:-40℃~+125℃
  • 入力の EMI/RFI フィルタ処理
  • 低いオフセット電圧:±10µV (最大値)
  • 低いドリフト:±0.18µV/℃
  • 低い入力バイアス電流:10fA
  • 低ノイズ:10kHz で 4.4nV/√Hz
  • 低い 1/f ノイズ:2µVPP (0.1Hz〜10Hz)
  • 低い電源電圧範囲:1.7V~5.5V
  • 低い静止電流:1.22mA
  • 高速セトリング:0.75µs (1V ステップ、0.1% まで)
  • 高スルーレート:4.5V/µs
  • 大出力電流:短絡時 +65mA/-55mA
  • ゲイン帯域幅:13MHz
  • レール ツー レール入出力
  • 仕様温度範囲:-40℃~+125℃
  • 入力の EMI/RFI フィルタ処理

OPAx392 ファミリのオペアンプ (OPA392、OPA2392、OPA4392) は、非常に小さいオフセット、オフセット ドリフト、入力バイアス電流、およびレール ツー レールの入出力動作を特長としています。高い DC 精度に加えて、 AC 性能は低ノイズで高速セトリングの過渡応答に最適化されています。これらの特長から、OPAx392 は高精度 A/D コンバータ (ADC) の駆動または高分解能 D/A コンバータ (DAC) の出力バッファリングに最適な選択肢です。

OPAx392 は、 テキサス・インスツルメンツの e-trim™ オペアンプ技術を採用し、入力チョッピングやオートゼロ手法を使わずに、非常に小さいオフセット電圧とオフセット電圧ドリフトを実現しています。この技術により、センサ入力またはフォトダイオード電流 / 電圧測定向けに非常に低い入力バイアス電流を実現し、光モジュールまたは医療用計測機器向けに高性能トランスインピーダンス段を形成できます。

OPAx392 ファミリのオペアンプ (OPA392、OPA2392、OPA4392) は、非常に小さいオフセット、オフセット ドリフト、入力バイアス電流、およびレール ツー レールの入出力動作を特長としています。高い DC 精度に加えて、 AC 性能は低ノイズで高速セトリングの過渡応答に最適化されています。これらの特長から、OPAx392 は高精度 A/D コンバータ (ADC) の駆動または高分解能 D/A コンバータ (DAC) の出力バッファリングに最適な選択肢です。

OPAx392 は、 テキサス・インスツルメンツの e-trim™ オペアンプ技術を採用し、入力チョッピングやオートゼロ手法を使わずに、非常に小さいオフセット電圧とオフセット電圧ドリフトを実現しています。この技術により、センサ入力またはフォトダイオード電流 / 電圧測定向けに非常に低い入力バイアス電流を実現し、光モジュールまたは医療用計測機器向けに高性能トランスインピーダンス段を形成できます。

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技術資料

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* データシート OPAx392 高精度、低オフセット電圧、低ノイズ、低入力バイアス電流、 レール・ツー・レール I/O、 e-trim™ オペアンプ データシート (Rev. I 翻訳版) PDF | HTML 英語版 (Rev.I) PDF | HTML 2025/03/15
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設計と開発

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AMP-PDK-EVM キットは、業界標準の最も一般的な次の 5 種類のパッケージをサポートしています。

  • D (SOIC-8 と SOIC-14)
  • PW (TSSOP-14)
  • DGK (VSSOP-8)
  • (...)
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DIP-ADAPTER-EVM — DIP アダプタの評価基板

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DIP-Adapter-EVM キットは、業界標準の最も一般的なパッケージをサポートしています:

  • D と U(SOIC-8)
  • PW(TSSOP-8)
  • DGK(MSOP-8、VSSOP-8)
  • DBV(SOT23-6、SOT23-5、SOT23-3)
  • DCK(SC70-6、SC70-5)
  • DRL(SOT563-6)
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??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
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DIYAMP-EVM は、迅速 簡単なプロトタイプ製作を可能にします。また、一般的な 0805 または 0603 (...)

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OPA2392DSBGA-EVM — OPA2392 低オフセット (10μV)、低ノイズ (6nV/√Hz)、DSBGA パッケージ封止オペアンプの評価基板

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TIDA-01606 — 11kW、双方向、3 相、3 レベル (T タイプ) インバータと PFC のリファレンス デザイン

このリファレンス デザインでは、双方向 3 レベル、3 相、SiC ベースのアクティブ フロント エンド (AFE) インバータおよび力率改善 (PFC) 段を実装する方法の概要を紹介します。このデザインでは、90kHz のスイッチング周波数と LCL 出力フィルタを使用して、磁気素子のサイズを縮小しています。98.6% のピーク効率を達成しています。このデザインは、DQ ドメインに完全な 3 相 AFE 制御を実装する方法を示しています。この双方向コンバータにより、DC 高速充電と vehicle-to-grid (V2G) の両方のアプリケーションが可能になります。
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パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
DSBGA (YBJ) 9 Ultra Librarian
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購入と品質

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サポートとトレーニング

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