THS2630

アクティブ

35V、180MHz、高速、低ノイズ、完全差動アンプ

製品詳細

Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 35 BW at Acl (MHz) 187 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 75 Architecture Bipolar, Fully Differential ADC Driver Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 1.1 Iq per channel (typ) (mA) 8.9 Rail-to-rail No Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iout (typ) (mA) 85 GBW (typ) (MHz) 215 Input bias current (max) (pA) 9800000 Features Shutdown CMRR (typ) (dB) 95 Rating Catalog
Number of channels 1 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (min) (V) 5 Total supply voltage (+5 V = 5, ±5 V = 10) (max) (V) 35 BW at Acl (MHz) 187 Acl, min spec gain (V/V) 1 Slew rate (typ) (V/µs) 75 Architecture Bipolar, Fully Differential ADC Driver Vn at flatband (typ) (nV√Hz) 1.1 Iq per channel (typ) (mA) 8.9 Rail-to-rail No Vos (offset voltage at 25°C) (max) (mV) 1.3 Operating temperature range (°C) -40 to 85 Iout (typ) (mA) 85 GBW (typ) (MHz) 215 Input bias current (max) (pA) 9800000 Features Shutdown CMRR (typ) (dB) 95 Rating Catalog
VSSOP (DGK) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm) HVSSOP (DGN) 8 14.7 mm² (3 mm × 4.9 mm) SOIC (D) 8 29.4 mm² (4.9 mm × 6 mm)
  • 高性能
    • 帯域幅: 187MHz (V CC = ±15V、G = 1V/V)
    • スルーレート: 75V/µs
    • ゲイン帯域幅積:245MHz
    • 歪み:2V PP、250kHz において -108dBc THD
  • 電圧ノイズ
    • 1/f 電圧ノイズ・コーナー:85Hz
    • 入力換算ノイズ:1.1nV/√Hz
  • 単一電源動作電圧範囲:5V~35V
  • 静止電流 (シャットダウン):770µA (THS2630S)
  • 高性能
    • 帯域幅: 187MHz (V CC = ±15V、G = 1V/V)
    • スルーレート: 75V/µs
    • ゲイン帯域幅積:245MHz
    • 歪み:2V PP、250kHz において -108dBc THD
  • 電圧ノイズ
    • 1/f 電圧ノイズ・コーナー:85Hz
    • 入力換算ノイズ:1.1nV/√Hz
  • 単一電源動作電圧範囲:5V~35V
  • 静止電流 (シャットダウン):770µA (THS2630S)

THS2630 は、テキサス・インスツルメンツの最新の高電圧相補型バイポーラ・プロセスで製造された、完全差動入力 / 差動出力デバイス・ファミリの製品です。

THS2630 は、入力から出力への真の完全差動信号路を使用し、最大 ±17.5V の広い電源電圧範囲を備えています。この設計により、優れた同相モード・ノイズ除去性能 (800kHz で 95dB) と、全高調波歪み性能 (2V PP、250kHz で −108dBc) を実現しています。電源電圧範囲が広いため、差動信号の各極性のために個別のアンプを追加しなくても、高電圧差動信号チェーンのヘッドルームとダイナミック・レンジを改善できます。

THS2630 は –40℃~+85℃の広い温度範囲で動作が規定されています。

THS2630 は、テキサス・インスツルメンツの最新の高電圧相補型バイポーラ・プロセスで製造された、完全差動入力 / 差動出力デバイス・ファミリの製品です。

THS2630 は、入力から出力への真の完全差動信号路を使用し、最大 ±17.5V の広い電源電圧範囲を備えています。この設計により、優れた同相モード・ノイズ除去性能 (800kHz で 95dB) と、全高調波歪み性能 (2V PP、250kHz で −108dBc) を実現しています。電源電圧範囲が広いため、差動信号の各極性のために個別のアンプを追加しなくても、高電圧差動信号チェーンのヘッドルームとダイナミック・レンジを改善できます。

THS2630 は –40℃~+85℃の広い温度範囲で動作が規定されています。

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技術資料

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e-Book(PDF) Engineer's Guide to High-Speed Amplifiers PDF | HTML 2023/10/18
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アナログ デザイン ジャーナル Using single-supply fully diff. amps with neg. input voltages to drive ADCs 2010/11/15

設計と開発

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評価ボード

DEM-FDA-DGK-EVM — DGK(HVSSOP)パッケージの完全差動アンプ用未実装評価基板

DEM-FDA-DGK-EVM は、DGK (HVSSOP) パッケージに封止した完全差動アンプ (FDA) 向け未実装評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) は、高速性能仕様に準拠しており、出力同相電圧 (Vocm) 制御機能とパワー ダウン (PD) 機能を搭載した TI ( テキサス・インスツルメンツ) の FDA (完全差動アンプ) を複数採用しています。この評価基板 (EVM) は、ラボ機器との組み合わせで使用できる 50Ω の SMA コネクタを活用する高速 FDA のラボ (...)
ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
評価ボード

DEM-FDA-SOIC-EVM — SOIC パッケージ封止、完全差動アンプの評価基板

DEM-FDA-SOIC-EVM は、D (SOIC) パッケージに封止した完全差動アンプ (FDA) 向け未実装評価基板 (EVM) です。この評価基板 (EVM) は、ラボ機器との組み合わせで使用できる 50Ω の SMA コネクタを活用する高速 FDA のラボ テストを迅速かつ効率的に実施できる設計を採用しています。この回路図は、電源や信号の接続を含め、ラボでの測定を実行するために必要なすべてのコネクタを考慮に入れています。この評価基板 (EVM) (...)

ユーザー ガイド: PDF | HTML
サポート対象の製品とハードウェア
在庫あり
制限:
??asset.out-of-stock-ti_ja_JP??
入手不可
シミュレーション・モデル

THS2630 TINA-TI Reference Circuit (Rev. A)

SLOM516A (1549 KB) - TINA-TI リファレンス・デザイン
サポート対象の製品とハードウェア
パッケージ ピン数 CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル
VSSOP (DGK) 8 Ultra Librarian
HVSSOP (DGN) 8 Ultra Librarian
SOIC (D) 8 Ultra Librarian

購入と品質

サポートとトレーニング

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