データシート
TPS7H1121-SP
- Total Ionizing Dose radiation characterized:
-
Radiation hardness assurance (RHA) availability of 100krad(Si) or 50krad(Si)
-
- Single-Event Effects (SEE) Characterized
- Single-event latch-up (SEL), single-event burnout (SEB), and single-event gate rupture (SEGR) immune to linear energy transfer (LET) = 75MeV-cm2/mg
- Single-event functional interrupt (SEFI) characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
- Single-event transient (SET) characterized to LET = 75MeV-cm2/mg
- Wide VIN range: 2.25V to 14V
- 2A maximum output current
- ±1.5% accuracy VIN > 3V over load, and temperature
- ±1.8% accuracy VIN < 3V over load, and temperature
- Soft start (SS) control through an external capacitor
- Open-drain power good (PG) output for power sequencing
- Programmable current limit through an external resistor (CL)
- Optional external control loop compensation utilizing the STAB pin
- Excellent load and line transient response
- Plastic packages out gas tested per ASTM E595
- Military (–55°C to 125°C) temperature range
The TPS7H1121 is a radiation-hardened, low dropout linear regulator (LDO) which operates over a wide input voltage range and is optimized for powering devices in a space environment. It is capable of sourcing up to 2A over a 2.25V to 14V input.
The device offers excellent stability and features a programmable current limit with a wide adjustment range. To support the complex power requirements of FPGAs, DSPs, and microcontrollers, the TPS7H1121 provides enable on and off functionality, programmable soft start, and a power good open-drain output.
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技術資料
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評価ボード
TPS7H1121EVM-CVAL — TPS7H1121-SP の評価基板
TPS7H1121EVM-CVAL は、単一の TPS7H1121-SP LDO レギュレータの動作を提示します。この基板は、追加の部品を実装するためのフットプリントを確保しており、カスタマイズ構成のテストに使用できるほか、テスト ポイントと SMA コネクタによる簡単な性能検証が可能です。
パッケージ | ピン数 | CAD シンボル、フットプリント、および 3D モデル |
---|---|---|
CFP (HFT) | 22 | Ultra Librarian |
購入と品質
記載されている情報:
- RoHS
- REACH
- デバイスのマーキング
- リード端子の仕上げ / ボールの原材料
- MSL 定格 / ピーク リフロー
- MTBF/FIT 推定値
- 使用原材料
- 認定試験結果
- 継続的な信頼性モニタ試験結果
記載されている情報:
- ファブの拠点
- 組み立てを実施した拠点
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