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TPS7H1111-SP

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耐放射線特性、QMLV と QMLP、1.5A、超低ノイズ、高 PSRR、低ドロップアウト (LDO) レギュレータ

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TPS7H1111-SP

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製品詳細

Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Noise (µVrms) 1.7 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Rating Space Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Accuracy (%) 1.3 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
Output options Adjustable Output Iout (max) (A) 1.5 Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Noise (µVrms) 1.7 Iq (typ) (mA) 19 Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Rating Space Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Accuracy (%) 1.3 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
CFP (HBL) 14 73.20624 mm² 9.12 x 8.027 HTSSOP (PWP) 28 62.08 mm² 9.7 x 6.4
  • 吸収線量 (TID) 特性評価済み
    • 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si) または 50krad(Si)
  • シングル・イベント効果 (SEE) 特性評価済み
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、最大線エネルギー付与 (LET) = 75 MeV-cm2/mg に対する耐性
    • シングル・イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル・イベント過渡 (SET) の最大 LET = 75MeV-cm2/mg に対する耐性
  • 超低ノイズ (10Hz～100kHz)：
    • 1.71µVRMS (代表値)
  • 高い電源電圧変動除去比 (PSRR) (代表値)：
    • 1kHz 時 109dB
    • 100kHz 時 71dB
    • 1MHz 時 66dB
  • 0.85V～7V の入力電圧範囲
  • 2.2V～14V のバイアス電源による消費電力の最小化
  • 出力電圧を最小 0.4V まで調整可能
  • 最大 1.5A の出力電流
  • ラインおよび負荷に対する優れた出力精度：
    • 全温度範囲で -1.3%～+1.2%
    • 25℃で -0.7%～+0.9%
  • 低ドロップアウト：215mV (代表値)、1.5A 時
  • プログラマブル・ソフト・スタート制御 (SS_SET)
  • オープン・ドレインのパワー・グッド (PG) インジケータ
  • 構成可能なパワー・グッド・スレッショルド (FB_PG)
  • 外部補償の STAB ピンを使用した露出制御ループ
  • 構成可能な動作による内部電流制限
  • 電流共有により最大 2.9A の動作を実現
  • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃)
  • 吸収線量 (TID) 特性評価済み
    • 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si) または 50krad(Si)
  • シングル・イベント効果 (SEE) 特性評価済み
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、最大線エネルギー付与 (LET) = 75 MeV-cm2/mg に対する耐性
    • シングル・イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル・イベント過渡 (SET) の最大 LET = 75MeV-cm2/mg に対する耐性
  • 超低ノイズ (10Hz～100kHz)：
    • 1.71µVRMS (代表値)
  • 高い電源電圧変動除去比 (PSRR) (代表値)：
    • 1kHz 時 109dB
    • 100kHz 時 71dB
    • 1MHz 時 66dB
  • 0.85V～7V の入力電圧範囲
  • 2.2V～14V のバイアス電源による消費電力の最小化
  • 出力電圧を最小 0.4V まで調整可能
  • 最大 1.5A の出力電流
  • ラインおよび負荷に対する優れた出力精度：
    • 全温度範囲で -1.3%～+1.2%
    • 25℃で -0.7%～+0.9%
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  • プログラマブル・ソフト・スタート制御 (SS_SET)
  • オープン・ドレインのパワー・グッド (PG) インジケータ
  • 構成可能なパワー・グッド・スレッショルド (FB_PG)
  • 外部補償の STAB ピンを使用した露出制御ループ
  • 構成可能な動作による内部電流制限
  • 電流共有により最大 2.9A の動作を実現
  • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃)

TPS7H1111 は超低ノイズ、高 PSRR、低ドロップアウトのリニア レギュレータ (LDO) で、宇宙環境の無線周波数 (RF) デバイスへの電力供給用に最適化されています。2.2V～14V のバイアス電源で、0.85V～7V の入力範囲にわたって最大 1.5A の電流を供給できます。

高性能なこのデバイスは、電源で発生する位相ノイズとクロックのジッタを制限できるため、高性能 ADC、DAC、VCO、PLL、SerDes、および衛星内の他の RF 部品への電力供給に最適です。低電圧動作を必要とするデジタル負荷 (FPGA や DSP など) では、非常に優れた精度と過渡性能により、最適なシステム性能が実現します。

QML バリアント 5962R21203 では、SMD (Standard Microcircuit Drawing) を利用できます。-SEP バリアント V62/23602 では、VID (Vendor Item Drawing) を利用できます。

TPS7H1111 は超低ノイズ、高 PSRR、低ドロップアウトのリニア レギュレータ (LDO) で、宇宙環境の無線周波数 (RF) デバイスへの電力供給用に最適化されています。2.2V～14V のバイアス電源で、0.85V～7V の入力範囲にわたって最大 1.5A の電流を供給できます。

高性能なこのデバイスは、電源で発生する位相ノイズとクロックのジッタを制限できるため、高性能 ADC、DAC、VCO、PLL、SerDes、および衛星内の他の RF 部品への電力供給に最適です。低電圧動作を必要とするデジタル負荷 (FPGA や DSP など) では、非常に優れた精度と過渡性能により、最適なシステム性能が実現します。

QML バリアント 5962R21203 では、SMD (Standard Microcircuit Drawing) を利用できます。-SEP バリアント V62/23602 では、VID (Vendor Item Drawing) を利用できます。
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技術資料

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設計と開発

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シミュレーション・モデル

TPS7H1111-SP PSpice Model

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計算ツール

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  • MSL 定格 / ピーク リフロー
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  • 継続的な信頼性モニタ試験結果
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