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TPS7H1111-SP

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Radiation-hardened, QML-P and QML-V, 1.5A ultra-low-noise high-PSRR low-dropout (LDO) regulator

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製品詳細

Rating Space Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Iout (max) (A) 1.5 Output options Adjustable Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
Rating Space Vin (max) (V) 7 Vin (min) (V) 0.85 Iout (max) (A) 1.5 Output options Adjustable Output Vout (max) (V) 5.5 Vout (min) (V) 0.4 Noise (µVrms) 1.7 PSRR at 100 KHz (dB) 71 Iq (typ) (mA) 19 Features Enable, Power good, Radiation hardened, Soft start Thermal resistance θJA (°C/W) 25.1 Load capacitance (min) (µF) 132 Regulated outputs (#) 1 Accuracy (%) 1.3 Dropout voltage (Vdo) (typ) (mV) 215 Operating temperature range (°C) -55 to 125 Radiation, SEL (MeV·cm2/mg) 75 Radiation, TID (typ) (krad) 100
HTSSOP (PWP) 28 62.08 mm² (9.7 mm × 6.4 mm) CFP (HBL) 14 73.20624 mm² (9.12 mm × 8.027 mm)
  • 吸収線量 (TID) 特性評価済み
    • 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si) または 50krad(Si)
  • シングル・イベント効果 (SEE) 特性評価済み
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、最大線エネルギー付与 (LET) = 75 MeV-cm2/mg に対する耐性
    • シングル・イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル・イベント過渡 (SET) の最大 LET = 75MeV-cm2/mg に対する耐性
  • 超低ノイズ (10Hz～100kHz)：
    • 1.71µVRMS (代表値)
  • 高い電源電圧変動除去比 (PSRR) (代表値)：
    • 1kHz 時 109dB
    • 100kHz 時 71dB
    • 1MHz 時 66dB
  • 0.85V～7V の入力電圧範囲
  • 2.2V～14V のバイアス電源による消費電力の最小化
  • 出力電圧を最小 0.4V まで調整可能
  • 最大 1.5A の出力電流
  • ラインおよび負荷に対する優れた出力精度：
    • 全温度範囲で -1.3%～+1.2%
    • 25℃で -0.7%～+0.9%
  • 低ドロップアウト：215mV (代表値)、1.5A 時
  • プログラマブル・ソフト・スタート制御 (SS_SET)
  • オープン・ドレインのパワー・グッド (PG) インジケータ
  • 構成可能なパワー・グッド・スレッショルド (FB_PG)
  • 外部補償の STAB ピンを使用した露出制御ループ
  • 構成可能な動作による内部電流制限
  • 電流共有により最大 2.9A の動作を実現
  • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃)
  • 吸収線量 (TID) 特性評価済み
    • 放射線耐性保証 (RHA)：100krad(Si) または 50krad(Si)
  • シングル・イベント効果 (SEE) 特性評価済み
    • シングル・イベント・ラッチアップ (SEL)、シングル・イベント・バーンアウト (SEB)、シングル・イベント・ゲート・ラプチャー (SEGR) の、最大線エネルギー付与 (LET) = 75 MeV-cm2/mg に対する耐性
    • シングル・イベント機能割り込み (SEFI) およびシングル・イベント過渡 (SET) の最大 LET = 75MeV-cm2/mg に対する耐性
  • 超低ノイズ (10Hz～100kHz)：
    • 1.71µVRMS (代表値)
  • 高い電源電圧変動除去比 (PSRR) (代表値)：
    • 1kHz 時 109dB
    • 100kHz 時 71dB
    • 1MHz 時 66dB
  • 0.85V～7V の入力電圧範囲
  • 2.2V～14V のバイアス電源による消費電力の最小化
  • 出力電圧を最小 0.4V まで調整可能
  • 最大 1.5A の出力電流
  • ラインおよび負荷に対する優れた出力精度：
    • 全温度範囲で -1.3%～+1.2%
    • 25℃で -0.7%～+0.9%
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  • プログラマブル・ソフト・スタート制御 (SS_SET)
  • オープン・ドレインのパワー・グッド (PG) インジケータ
  • 構成可能なパワー・グッド・スレッショルド (FB_PG)
  • 外部補償の STAB ピンを使用した露出制御ループ
  • 構成可能な動作による内部電流制限
  • 電流共有により最大 2.9A の動作を実現
  • 軍事用温度範囲 (-55℃～125℃)

TPS7H1111 は超低ノイズ、高 PSRR、低ドロップアウトのリニア レギュレータ (LDO) で、宇宙環境の無線周波数 (RF) デバイスへの電力供給用に最適化されています。2.2V～14V のバイアス電源で、0.85V～7V の入力範囲にわたって最大 1.5A の電流を供給できます。

高性能なこのデバイスは、電源で発生する位相ノイズとクロックのジッタを制限できるため、高性能 ADC、DAC、VCO、PLL、SerDes、および衛星内の他の RF 部品への電力供給に最適です。低電圧動作を必要とするデジタル負荷 (FPGA や DSP など) では、非常に優れた精度と過渡性能により、最適なシステム性能が実現します。

QML バリアント 5962R21203 では、SMD (Standard Microcircuit Drawing) を利用できます。-SEP バリアント V62/23602 では、VID (Vendor Item Drawing) を利用できます。

TPS7H1111 は超低ノイズ、高 PSRR、低ドロップアウトのリニア レギュレータ (LDO) で、宇宙環境の無線周波数 (RF) デバイスへの電力供給用に最適化されています。2.2V～14V のバイアス電源で、0.85V～7V の入力範囲にわたって最大 1.5A の電流を供給できます。

高性能なこのデバイスは、電源で発生する位相ノイズとクロックのジッタを制限できるため、高性能 ADC、DAC、VCO、PLL、SerDes、および衛星内の他の RF 部品への電力供給に最適です。低電圧動作を必要とするデジタル負荷 (FPGA や DSP など) では、非常に優れた精度と過渡性能により、最適なシステム性能が実現します。

QML バリアント 5962R21203 では、SMD (Standard Microcircuit Drawing) を利用できます。-SEP バリアント V62/23602 では、VID (Vendor Item Drawing) を利用できます。
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技術資料

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設計と開発

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制限：
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入手不可
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