パッケージ情報
パッケージ | ピン数 SOIC (DW) | 16 |
動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
パッケージ数量 | キャリア 40 | TUBE |
UCC21520-Q1 の特徴
- 車載アプリケーションに対応
- 下記内容でAEC-Q100認定済み
- デバイス温度グレード1
- デバイスHBM ESD分類レベルH2
- デバイスCDM ESD分類レベルC6
- 汎用: デュアル・ローサイド、デュアル・ハイサイド、またはハーフ・ブリッジ・ドライバ
- 動作温度範囲: -40℃~+125℃
- スイッチング・パラメータ
- 伝搬遅延 19ns (標準値)
- 最小パルス幅 10ns
- 最大遅延マッチング 5ns
- 最大パルス幅歪み: 6ns
- 100V/nsを超える同相過渡耐性(CMTI)
- 最大12.8kVのサージ耐性
- 絶縁バリアの寿命 40年以上
- ピーク・ソース4A、ピーク・シンク6Aの出力
- TTLおよびCMOS互換の入力
- 3V~18Vの入力VCCI範囲により、デジタル/アナログの両方のコントローラと接続可能
- 最大25VのVDD出力駆動電源
- 5Vおよび8VのVDD UVLOオプション
- オーバーラップおよびデッドタイムをプログラム可能
- 5ns未満の入力パルスと過渡ノイズを除去
- 高速なディセーブルによる電源シーケンス
- 安全性関連の認定:
- DIN V VDE V 0884-11:2017-01に準拠した強化絶縁耐圧: 8000VPK
- UL 1577準拠で5.7kVRMSにおいて1分間の絶縁
- IEC 60950-1、IEC 62368-1、IEC 61010-1、IEC 60601-1最終機器標準に準拠のCSA認定
- GB4943.1-2011準拠のCQC認定
UCC21520-Q1 に関する概要
UCC21520-Q1は絶縁されたデュアル・チャネルのゲート・ドライバで、ピーク電流はソース 4A、シンク 6A です。パワーMOSFET、IGBT、およびSiC MOSFETを最大5MHzで駆動するよう設計され、クラス最高の伝搬遅延とパルス幅歪みを実現しています。
入力側は5.7kVRMSの強化絶縁バリアによって2つの出力ドライバと分離され、同相過渡耐性(CMTI)は最小で100V/nsです。2つの2次側ドライバ間は、内部的に機能絶縁されているため、1500VDCまでの電圧で動作します。
すべてのドライバは 2 つのローサイド・ドライバ、2 つのハイサイド・ドライバ、またはデッドタイム (DT) をプログラム可能な 1 つのハーフ・ブリッジ・ドライバとして構成可能です。ディセーブル・ピンによって両方の出力が同時にシャットダウンし、オープンまたは接地したときには通常動作します。フェイルセーフ手法として、1 次側のロジック障害が発生すると、両方の出力が強制的に LOW になります。
各デバイスは、25V までの VDD 電源電圧を受け付けます。VCCI 入力電圧範囲が 3V~18V と広いため、このドライバはアナログ/デジタルいずれのコントローラとの接続にも適しています。すべての電源電圧ピンに、低電圧誤動作防止 (UVLO) 保護機能が搭載されています。
これらの高度な機能により、UCC21520-Q1 は高効率、高電力密度、優れた堅牢性を実現します。