パッケージ情報
| パッケージ | ピン数 SSOP (DWJ) | 36 |
| 動作温度範囲 (℃) -40 to 125 |
| パッケージ数量 | キャリア 750 | LARGE T&R |
UCC5870-Q1 の特徴
- 分割出力ドライバは、30A のピーク・ソース (供給) 電流と 30A のピーク・シンク (吸い込み) 電流を実現
- ゲート・ドライブの強度に応じて「即時」調整可能
- 150ns (最大値) の伝搬遅延時間とプログラマブルな最小パルス除去を備えたインターロックおよび貫通電流保護機能
- 1 次側と 2 次側のアクティブ短絡をサポート
- 設定可能なパワー・トランジスタ保護機能
- DESAT に基づく短絡保護機能
- シャント抵抗を使った過電流および短絡保護機能
- NTC を使った過熱保護機能
- パワー・トランジスタ障害時のプログラマブル・ソフト・ターンオフ (STO) と 2 レベル・ターンオフ (2LTOFF)
- 機能安全準拠
- 診断機能内蔵：
- 保護コンパレータのための内蔵セルフ・テスト (BIST)
- IN+ からトランジスタのゲートへの経路の整合性
- パワー・トランジスタのスレッショルドの監視
- 内部クロックの監視
- フォルト・アラーム (nFLT1) および警告 (nFLT2) 出力
- 内蔵の 4A アクティブ・ミラー・クランプまたは外付けのミラー・クランプ・トランジスタ用外部駆動 (任意)
- 先進の高電圧クランプ制御
- 内部および外部電源の低電圧および過電圧保護機能
- 低電源またはフローティング入力時の、アクティブ出力プルダウンおよびデフォルト LOW 出力
- ドライバ・ダイ温度センシングおよび過熱保護機能
- V CM = 1000V で 100kV/µs 以上のコモン・モード過渡耐性 (CMTI)
- SPI ベースのデバイス再構成、検証、監視、診断機能
- 内蔵 10 ビット ADC によるパワー・トランジスタ温度、電圧、電流の監視
- 安全関連認証：
- UL1577 に準拠した絶縁耐圧： 3750V RMS、1 分間 (予定)
- 下記内容で AEC-Q100 認定済み：
- デバイス温度グレード 0：–40℃～125℃の動作時周囲温度
- デバイス HBM ESD 分類レベル 2
- デバイス CDM ESD 分類レベル C4b
UCC5870-Q1 に関する概要
UCC5870-Q1 デバイスは、EV/HEV アプリケーションの大電力 SiC MOSFET および IGBT を駆動するための高度に構成可能な絶縁型シングル・チャネル・ゲート・ドライバです。シャント抵抗を使った過電流保護、NTC を使った過熱保護、DESAT 検出などのパワー・トランジスタ保護機能には、これらのフォルト中の選択可能なソフト・ターンオフまたは 2 レベルのターンオフが含まれます。アプリケーションのサイズをさらに小さくするため、 UCC5870-Q1 は、スイッチング中の 4A アクティブ・ミラー・クランプとドライバに電力が供給されていない間のアクティブ・ゲート・プルダウンを内蔵しています。内蔵の 10 ビット ADC を使うと、最大 6 つのアナログ入力とゲート・ドライバ温度を監視することでシステム管理を強化できます。ASIL-D 準拠システムの設計を簡素化する診断および検出機能を内蔵しています。これらの機能のパラメータとスレッショルドは SPI インターフェイスを使って設定できるため、本デバイスはほとんどすべての SiC MOSFET または IGBT と組み合わせて使用できます。