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비교 대상 장치와 동일한 기능을 지원하는 핀 대 핀
CSD16321Q5
- Optimized for 5V gate drive
- Ultra-low Qg and Qgd
- Low-thermal resistance
- Avalanche rated
- Lead-free terminal plating
- RoHS compliant
- SON 5mm × 6mm plastic package
This 25V, 1.9mΩ, 5mm × 6mm SON NexFET™ power MOSFET has been designed to minimize losses in power conversion and optimized for 5V gate drive applications.
기술 자료
유형 | 직함 | 날짜 | ||
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* | Data sheet | CSD16321Q5 25V N-Channel NexFET™ Power MOSFET datasheet (Rev. E) | PDF | HTML | 2023/12/01 |
Application note | MOSFET Support and Training Tools (Rev. F) | PDF | HTML | 2024/06/14 | |
Application note | Semiconductor and IC Package Thermal Metrics (Rev. D) | PDF | HTML | 2024/03/25 | |
Application note | Using MOSFET Transient Thermal Impedance Curves In Your Design | PDF | HTML | 2023/12/18 | |
Application note | QFN and SON PCB Attachment (Rev. C) | PDF | HTML | 2023/12/06 | |
Application note | Using MOSFET Safe Operating Area Curves in Your Design | PDF | HTML | 2023/03/13 | |
Application brief | Tips for Successfully Paralleling Power MOSFETs | PDF | HTML | 2022/05/31 | |
Selection guide | Power Management Guide 2018 (Rev. R) | 2018/06/25 | ||
Application note | Ringing Reduction Techniques for NexFET High Performance MOSFETs | 2011/11/16 |
설계 및 개발
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패키지 | 핀 | CAD 기호, 풋프린트 및 3D 모델 |
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VSON-CLIP (DQH) | 8 | Ultra Librarian |
주문 및 품질
- RoHS
- REACH
- 디바이스 마킹
- 납 마감/볼 재질
- MSL 등급/피크 리플로우
- MTBF/FIT 예측
- 물질 성분
- 인증 요약
- 지속적인 신뢰성 모니터링
- 팹 위치
- 조립 위치
권장 제품에는 본 TI 제품과 관련된 매개 변수, 평가 모듈 또는 레퍼런스 디자인이 있을 수 있습니다.